1.一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器制备方法如下：

(1)向去离子水溶剂中加入蔗糖、氯化镍、四氯化锡，分散均匀，移入反应釜内，进行水热反应，冷却，抽滤，洗涤并干燥，得到镍掺杂氧化锡前驱体；

(2)将镍掺杂氧化锡前驱体置于电阻炉中，进行煅烧，冷却，得到镍掺杂氧化锡空心球；

(3)向乙醇溶剂中加入氢氧化钠、乌洛托品、硝酸铜、镍掺杂氧化锡空心球，分散均匀，移入反应釜内，进行溶剂热反应，冷却，离心分离，洗涤并干燥，得到镍掺杂氧化锡空心球修饰氧化铜纳米花；

(4)向乙醇溶剂中加入分散剂聚乙二醇、镍掺杂氧化锡空心球修饰氧化铜纳米花，分散均匀，均匀涂抹在带有金电极的氧化铝陶瓷管表面，干燥后在350‑450℃下烧结固化1‑3h，冷却，在氧化铝陶瓷管的内部插入Ni‑Cr电阻加热丝，并焊接在管坐上，制成旁热式气敏元件，得到Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器。

2.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述步骤(1)中蔗糖、氯化镍、四氯化锡的质量比为80‑180:1.5‑3.5:100。

3.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述步骤(1)中水热反应的条件为在170‑210℃下水热反应18‑30h。

4.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述步骤(2)中煅烧的条件为在550‑650℃下煅烧2‑4h。

5.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述步骤(3)中氢氧化钠、乌洛托品、硝酸铜、镍掺杂氧化锡空心球的质量比为3‑5:20‑35:25‑45:

100。

6.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂SnO2修饰CuO的气体传感器，其特征在于：所述步骤(3)中溶剂热的条件为在100‑140℃下溶剂热反应12‑18h。