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专利号: 2021111475358
申请人: 成都大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种在纯铜中形成反向晶粒尺寸梯度微观结构的方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)将粗晶纯铜经预处理后制作成用于分裂式霍普金森压力杆的帽型状纯铜试样;

(2)将帽型状纯铜试样放置于分裂式霍普金森压力杆的入射和透射杆之间,引入梯度剪切应变,在纯铜中形成反向晶粒尺寸梯度微观结构;其中剪切应变位于帽型状纯铜试样的狭窄区域。

2.根据权利要求1所述在纯铜中形成反向晶粒尺寸梯度微观结构的方法,其特征在于:步骤(1)预处理为退火处理,退火温度为400~500℃,退火时间为1~2.5h。

3.根据权利要求1所述在纯铜中形成反向晶粒尺寸梯度微观结构的方法,其特征在于:

5 ‑1

步骤(2)剪切应变率为10s 。