1.一种C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜，其特征在于，所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜自下而上依次为基材、形成于基材上的过渡层和结合于过渡层上的多孔配位聚合物膜；

所述基材为平均孔径为20‑50nm的聚砜超滤膜；

所述过渡层为将聚二甲基硅氧烷和聚乙烯醇涂覆在基材的表面干燥得到；

所述多孔配位聚合物膜是将多孔配位聚合物X‑PCP/PEI的乙醇/H2O溶液均匀涂覆在过渡层的表面干燥后得到；

所述的多孔配位聚合物X‑PCP/PEI的乙醇/H2O溶液，是将聚乙烯亚胺PEI与多孔配位聚合物X‑PCP依次加入体积百分比浓度为30‑50％的乙醇/H2O溶液中混合均匀得到；

上述多孔配位聚合物X‑PCP/PEI的乙醇/H2O溶液X‑PCP中，按重量百分比计算，聚乙烯亚胺PEI：多孔配位聚合物X‑PCP：体积百分比浓度为30‑50％的乙醇/H2O溶液为1％∶0.4‑

0.9％∶98.1‑98.6％；

所述多孔配位聚合物X‑PCP采用如下制备方法制得：先将金属盐ZrCl4和配体分别溶解到去离子水和N’N‑二甲基甲酰胺中，将得到的ZrCl4水溶液和配体的N’N‑二甲基甲酰胺溶液混合均匀，再加热反应，所得的反应液依次经离心分离、洗涤、干燥，制得多孔配位聚合物X‑PCP；

所述的配体为卤素取代的间苯二甲酸，所述的卤素为氯或溴。

2.根据权利要求1所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜，其特征在于，所述卤素间苯二甲酸为4‑氯间苯二甲酸、4‑溴间苯二甲酸、5‑氯间苯二甲酸和5‑溴间苯二甲酸中的一种。

3.根据权利要求2所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜，其特征在于，所述多孔配位聚合物X‑PCP/PEI的乙醇/H2O溶液中，多孔配位聚合物X‑PCP的重量百分比为0.6％。

4.根据权利要求1所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜，其特征在于，所述金属盐ZrCl4与配体的摩尔比为1∶(0.5‑2)。

5.根据权利要求4所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜，其特征在于，所述金属盐ZrCl4与配体的摩尔比为1∶1。

6.权利要求1‑5任一所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、多孔配位聚合物X‑PCP制备：先将金属盐ZrCl4溶解到去离子水中、配体溶解到N’N‑二甲基甲酰胺中，将得到的两种溶液充分混合后，再对混合溶液进行加热反应，反应结束后，先对所得的反应液进行离心分离，再将所得的沉淀物经洗涤、干燥得到多孔配位聚合物X‑PCP；

S2、过渡层的制备：以聚砜超滤膜为基材，用聚二甲基硅氧烷正庚烷溶液涂覆在聚砜超滤膜表面，干燥后，再将聚砜超滤膜上涂覆有聚二甲基硅氧烷正庚烷溶液的部分置于聚乙烯醇水溶液中浸泡，取出干燥，在聚砜超滤膜的表面得到亲水的改性聚砜膜mPSf，即过渡层；

S3、多孔配位聚合物膜与过渡层的结合：将聚乙烯亚胺与多孔配位聚合物X‑PCP依次加入体积百分比浓度为30‑50％的乙醇/H2O溶液中混合均匀，得到的X‑PCP/PEI的乙醇/H2O溶液涂覆在过渡层的表面上经干燥，最终得到C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜。

7.权利要求6所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜的制备方法，其特征在于，步骤S1所述多孔配位聚合物X‑PCP制备过程中的加热反应，控制温度为120‑180℃、时间为

12‑36h。

8.权利要求1‑5任一所述的C1‑C4碳氢化合物优先渗透的混合基质膜用于炼厂气中碳氢化合物气体的优先渗透，所述碳氢化合物气体为C1‑C4碳氢化合物。