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专利号: 2021111632715
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于从上至下依次包括上层金属面(M1)、上层介质基板(S1)、中间金属面(M2)、下层介质基板(S2)、下层金属面(M3);

所述上层介质基板(S1)内设有谐振腔(C),该谐振腔(C)由周期性分布的多个第一金属化通孔围合而成;所述谐振腔(C)中心设有由周期性分布的多个第二金属化通孔构成的十字金属壁(WV);所述十字金属壁(WV)将所述谐振腔(C)分为四个完全相同的区域(CS);所述区域(CS)的中心各设有一短路金属化通孔(VT);

所述第一金属化通孔、第二金属化通孔、短路金属化通孔(VT)贯穿上层介质基板(S1),其两端分别与上层金属面(M1)、中间金属面(M2)连接;

所述上层金属面(M1)开有四个镂空区域,所述四个镂空区域的中心与四个区域(CS)的中心一一对应;所述四个镂空区域均设有金属贴片(P),所述金属贴片(P)与上层金属面(M1)间留有环形缝隙(A);所述上层金属面(M1)在谐振腔(C)四个角相对应位置各开有一窄缝(SP);四个窄缝(SP)关于谐振腔(C)中心对称;

所述中间金属面(M2)上蚀刻有耦合窄缝隙(ST),所述耦合窄缝隙(ST)与十字金属壁的一臂平行且贴近于谐振腔(C)的金属化通孔壁;

所述下层介质基板(S2)内设有一个基片集成波导(W),该基片集成波导(W)由中间金属面(M2)、下层金属面(M3)、周期性分布的多个第三金属化通孔构成;所述基片集成波导(W)内设有一阻抗匹配金属化通孔(VB);

所述第三金属化通孔贯穿下层介质基板(S2),其两端分别与中间金属面(M2)、下层金属面(M3)连接;

所述下层金属面(M3)设置在下层介质基板(S2)的下表面;所述下层金属面(M3)蚀刻有一共面波导(T)。

2.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述基片集成波导(W)的位于下层介质基板(S2)边缘一端开放设置;所述一共面波导(T)位于基片集成波导(W)开放端对应位置。

3.如权利要求2所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述共面波导(T)由一对轴对称设置的缝隙枝节构成;所述缝隙枝节与基片集成波导(W)不接触。

4.如权利要求3所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述缝隙枝节为一体成型结构,包括水平缝隙和向外延伸的45°角倾斜缝隙。

5.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述的谐振腔(C)的尺寸满足使其实现主要工作在TE410模式和TE330模式;所述的谐振腔(C)中每个区域(CS)的尺寸满足实现工作在对角TE120模式。

6.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于利用环形缝隙(A)与金属贴片(P)之间的混合电磁耦合在工作频带上边带引入一个增益零点,利用介质集成波导的截止频率使工作频带下边带发生了急剧的滚降。

7.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述谐振腔(C)为方形,其边长为1.45‑1.55λ0,λ0为自由空间波长;所述镂空区域为方形,其边长为0.39‑0.395λ0;所述金属贴片(P)为方形,其边长Lp为0.28‑0.3λ0;所述十字金属壁(WV)的臂部端点到谐振腔(C)的金属壁的距离Lw为0.5‑0.6λ0;所述窄缝(SP)的长度为

0.27‑0.29λ0,其到谐振腔中心的距离为0.8‑0.9λ0;所述耦合窄缝隙(ST)中心到邻近的谐振腔(C)壁的距离为0.05‑0.06λ0。

8.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述的基片集成波导(W)的靠近上层介质基板(S1)边缘外侧壁与谐振腔(C)的其中一个金属化通孔壁对齐。

9.如权利要求1所述的一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线,其特征在于所述窄缝(SP)与十字金属壁的任意一臂的夹角为45°。