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专利号: 2021111757091
申请人: 广西大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种钨包覆和掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,针对单晶富镍三元正极材料,仅在一种制备方法内同时实现对材料的单包覆、单掺杂和既包覆又掺杂的改性方法,具体包括以下步骤:

(1)将镍钴锰三元前驱体与锂源混合,煅烧,球磨,得到单晶富镍三元正极材料;

(2)将单晶富镍三元正极材料与钨源混合,煅烧,冷却,即得所述钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料。

2.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述镍钴锰三元前驱体的化学式为Ni0.6Co0.2Mn0.2(OH)2。

3.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述锂源为氢氧化锂、碳酸锂、氧化锂、氯化锂、硝酸锂和草酸锂中的至少一种。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述锂源中Li与镍钴锰三元前驱体中Ni+Co+Mn的摩尔比为

1:(1.0‑1.1)。

5.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述煅烧的升温速率为2‑6℃/min,温度为500‑1000℃,煅烧气氛为空气和/或氧气,时间为3‑15h。

6.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述球磨的球料比为10:1,转速为200‑500r/min,时间为0.5‑2h。

7.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述单晶富镍三元正极材料的化学式为:LiaNixCoyMn1‑x‑yO2;其中,

0.6≤x<1,0<y≤0.20,0<z≤0.20,且x+y+z=1;0.95≤a≤1.10。

8.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述钨源为三氧化钨、钨酸锂、钨酸钠和钨酸中的至少一种。

9.根据权利要求1或8所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述钨源的质量为单晶富镍三元正极材料与钨源混合物质量的

0.01%‑3%。

10.根据权利要求1所述的一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述煅烧的升温速率为2‑6℃/min,温度为400‑900℃,煅烧气氛为氩气,时间为1‑5h。