1.一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将二氰二胺与三聚氰酸混合均匀后作为前驱体，然后将前驱体均匀平铺在耐热载体底部；

（2）将基底直接平放在步骤（1）的前驱体之上，用铝箔材料包裹后将耐热载体置于管式炉中；

（3）气氛保护下，在加热装置中以1‑10℃/min的升温速率升温至500‑580℃并保持1‑5 h后冷却至室温，得到石墨相氮化碳薄膜电极；

（4）配制硼氢化钠溶液或次磷酸钠溶液，移取一定量上述溶液滴涂在步骤三中制备得到的石墨相氮化碳基薄膜上干燥；

（5）气氛保护下，于加热装置中以5‑10℃/min的升温速率升温至350‑400℃并保持60‑

90 min后冷却至室温，得到硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜。

2.根据权利要求1所述的硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的二氰二胺与三聚氰酸的质量比为2‑3：1。

3.根据权利要求1所述的硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的耐热载体包括瓷舟。

4.根据权利要求1所述的硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的基底材料包括但不限于氟掺杂的氧化锡（FTO）。

5.根据权利要求1所述的硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：在原始石墨相氮化碳薄膜电极的基础上滴涂浓度为1‑2mol/L硼氢化钠或次磷酸钠溶液。

6.根据权利要求1所述的硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的热处理气氛为N2或Ar。