1.一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：以T1高频变压器为轴心的非对称结构,包括高压侧、谐振槽和低压侧；高压侧为高匝数端，设置为半桥开关结构；低压侧为带中心抽头的两个相同匝数的低匝数端，为MOSFET管两两反向串联的推挽半桥的开关结构；能够在正向功率流动时，将高压侧的正极性电压转换为低压侧的正极性电压或负极性电压；在反向功率流动时，将低压侧的正极性电压或负极性电压转换为高压侧的正极性电压。

2.根据权利要求1所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：所述变换器拓扑的高压侧的连接关系如下：CH1和CH2构成高压侧半桥电容，MOSFET管Q1、Q2及其体二极管D1、D2和寄生电容C1、C2构成高压侧开关管；所述谐振槽包括Cr、Lr、Lm1、Lm2构成的谐振网络，Cr为谐振网络串联谐振电容，Lr为谐振网络串联谐振电感，Lm1为T1高频变压器的励磁电感，Lm2为附加在高压侧桥臂中点的辅助谐振电感；所述低压侧的连接关系如下：MOSFET管Q3、Q5及其体二极管D3、D5和寄生电容C3、C5反向串联构成推挽半桥的上管结构，Q3的源极与Q5的源极相连；MOSFET管Q4、Q6及其体二极管D4、D6和寄生电容C4、C6反向串联构成推挽半桥的下管结构，Q4的源极与Q6的源极相连；CL为低压侧无极性滤波电容，连接T1高频变压器的副边中心抽头与CL相连，上绕组端子连至Q3的漏极，下绕组端子连至Q4的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：当所述变换器处于正向功率流动时，高压侧为半桥开关结构，高压侧向低压侧传递能量，此时辅助电感Lm2被电压源钳位，不参与谐振，Cr、Lr、Lm1构成谐振网络。

4.根据权利要求3所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征是：当所述变换器处于正向功率流时，低压侧通过两个反向串联的MOSFET管构成双向开关实现极性可控的电压控制；

当正极性输出时，MOSFET管Q5、Q6导通，Q3、Q4关断，使用体二极管D3、D4构成整流电路输出正极性电压；

当负极性输出时，MOSFET管Q3、Q4导通，Q5、Q6关断，使用体二极管D5、D6构成整流电路输出负极性电压。

5.根据权利要求2所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：当所述变换器处于反向功率流动时，高压侧采用不控整流控制，低压侧向高压侧传递能量，此时电感Lm1被变压器钳位，不参与谐振，Cr、Lr、Lm2构成谐振网络。

6.根据权利要求5所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：当所述变换器处于反向功率流时，高压侧开关管采用不控整流控制，低压侧开关管做为推挽谐振开关；

当低压侧处于正极性输入时，MOSFET管Q5、Q6导通，Q3、Q4作为推挽谐振开关，对称互补控制；

当低压侧处于负极性输入时，MOSFET管Q3、Q4导通，Q5、Q6作为推挽谐振开关，对称互补控制。

7.根据权利要求2所述的一种双极性输出的双向LLC谐振变换器拓扑，其特征在于：所述变换器在双向工作时，其电压输入侧开关管均采用变频控制，通过控制开关频率控制电压增益；为实现软开关，设计有一定死区，通过控制死区大小控制软开关范围。