1.一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列，其特征在于，包括基底和负载于所述基底上的钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片；所述基底为泡沫镍，所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上，纳米片的横向尺寸为0.5～2μm，厚度为5～20 nm；纳米片具有丰富的介孔，介孔的尺寸为2～5 nm。

2.根据权利要求1所述的钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列，其特征在于，所述磷化铜二维介孔纳米片具有均匀的钴元素掺杂。

3.根据权利要求1所述的钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硝酸铜、硝酸钴和尿素溶解在水中，并置于反应釜中；向反应釜中放入泡沫镍基底，将反应釜保持在120 °C下3～15小时；对所述泡沫镍基底进行洗涤和干燥，再进一步进行磷化处理，得到钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述硝酸铜、硝酸钴和尿素的摩尔比为1 : （0.25～2）: （5～10）。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述泡沫镍基底进行洗涤和干燥的步骤为：用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应后的泡沫镍基底至水溶液呈中性，再将洗涤后的泡沫镍基底放入烘箱在70°C下干燥2～8小时。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述进一步进行磷化处理的步骤为：将洗涤、干燥后的泡沫镍基底和0.4～1 g次磷酸钠分别放置在石英舟中，再将石英舟放置在管式炉中，设定氩气气氛中350°C煅烧0.5～2小时。

7.根据权利要求1所述的钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列在电催化分解水方面的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列能够作为优异的电催化剂用于HER、OER和全解水。