1.一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；

S2、双温区水平管式炉按照气流方向依次设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方，衬底一端与钼箔接触，另一端由石英柱支撑，与钼箔的垂直间距为0.8‑1.0毫米；

S3、先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫源温区的目标温度为225‑235℃，沉积温区的目标温度为910‑920℃，两温区同时升至目标温度值；

S4、硫源温区产生的硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与钼箔反应，反应时间为15‑20分钟，在衬底上沿着气流方向得到覆盖率为5％，35％，100％的双层MoS2晶体材料，反应结束后在惰性气体保护下冷却至室温。

2.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，Si/SiO2衬底尺寸为1cm×2cm。

3.如权利要求2所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，Si/SiO2预处理：先将Si/SiO2衬底在丙酮溶液中浸渍10～15分钟，再在乙醇溶液中超声清洗10‑15分钟，随后用去离子水冲洗3～5次，最后利用高纯氮气吹干。

4.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，钼箔纯度为99.95％。

5.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，硫源为升华硫粉，硫粉的质量纯度为99.99％，加入量为200mg。

6.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，两温区间距为14‑16cm。

7.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，S3中，对石英管抽真空后，采用500立方厘米/分钟的惰性气体清洗石英管15分钟。

8.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，S4中，两温区同时升至设定目标温度值的操作为：先将衬底所在温区升温至预热温度，预热温度为540‑560℃，再加热硫源所在温区。

9.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，两温区升温阶段和反应阶段的惰性气体通入速率均为45立方厘米/分钟。

10.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，惰性气体为氩气。