1.一种SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例干混，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；

S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S1中，所述SiC颗粒粒径为0.5～5μm，干混的质量比为3～7:2～3。

3.根据权利要求2所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S1中，所述聚碳硅烷和SiC颗粒的质量比为3～10:90～100。

4.根据权利要求3所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述预压的压力不大于15MPa。

5.根据权利要求4所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述振荡热压烧结的温度T2为1900～2000℃，压力为50～70MPa，振幅为1～10MPa、振荡频率为1～10Hz。

6.根据权利要求5所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述振荡热压烧结的升温方式为：先以6～8℃/min的第一升温速率升温至T1，再以3～5℃/min的第二升温速率升温至振荡压力烧结的温度T2，1550℃≤T1＜T2。

7.根据权利要求6所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述振荡热压烧结的升压程序为：在达到聚碳硅烷的固化温度前施加不大于20MPa的压力；根据聚碳硅烷的裂解温度，在750℃～1600℃时以不大于5KN/min的升压速率将压力升高至20～40MPa。

8.根据权利要求7所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述振荡热压烧结的时间不超过3h，其中热压时间不大于2h。

9.根据权利要求8所述的SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述振荡热压烧结在降温阶段将压力值降低至不大于3MPa。

10.一种权利要求1所述方法制备的SiC陶瓷材料。