1.一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，包括GaAs衬底，其特征在于：在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述GaAs衬底为GaAs单晶片，其厚度为300～800μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述AlAs剥离层的厚度为10～50nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述GaInP子电池的总厚度为600～1000nm，其材料晶格常数与GaAs衬底相同，其光学吸收带隙为1.8～1.9eV。

5.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层由二维石墨烯层和AlSbP层交替循环组成，循环周期为4～10，其中，AlSbP材料晶格常数与InP相同，每层AlSbP厚度为100～300nm，AlSbP层的生长温度由下至上而逐步增高，生长温度范围为500～700℃，递增步长为20～50℃。

6.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述InP子电池的总厚度为1～2μm，其光学吸收带隙为1.34eV。

7.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，其特征在于：所述GaInAs子电池的总厚度为2～3μm，其材料晶格常数与InP相同，其光学吸收带隙为0.75eV。