1.一种硅基垂直腔面发射激光器，包括Si衬底，其特征在于：所述Si衬底为单晶Si衬底，在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有多层复合结构缓冲层和III‑V族VCSEL激光发射单元。

2.根据权利要求1所述的一种硅基垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述单晶Si衬底的上表面采用纳米图形光刻技术形成纳米柱结构，单个纳米柱台面呈正方形，边长为20～

50nm，高度为50～200nm，相邻纳米柱之间的间距为100～500nm。

3.根据权利要求1所述的一种硅基垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述多层复合结构缓冲层由二维BN层、III‑V族化合物和GaAs量子点循环生长组成，循环周期为5～10，其中，二维BN层的原子层数为1～5层，每层III‑V族化合物厚度为100～400nm，GaAs量子点层数为1～5层。

4.根据权利要求3所述的一种硅基垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述III‑V族化合物为不同组分的GaAsxP1‑x或Ga1‑yInyP，其中x、y随着材料层由下至上而由小变大，x和y的取值范围分别为0～1和0～0.5，变化步长分别为0.1～0.2和0.05～0.1。

5.根据权利要求1所述的一种硅基垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述III‑V族VCSEL激光发射单元由下至上包括p型GaAs电极接触层、p型DBR层、多量子阱有源区、n型DBR层和n型GaAs电极接触层，其激光发射波长为600～1000nm。