1.一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述偏振旋转器包括：衬底(1)；

所述衬底(1)的顶部设置有一段条形波导(2)，形成偏振旋转区域；

沿着入射光的传输方向，所述条形波导(2)的其中一组对角上分别开有若干个第一凹槽(3)和若干个第二凹槽(4)，形成第一亚波长光栅和第二亚波长光栅；

所述若干个第一凹槽(3)和第二凹槽(4)内均填充有二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)为二氧化硅衬底；

所述条形波导(2)为硅波导。

3.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的周围包覆有二氧化硅层(5)。

4.根据权利要求2所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为2μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的厚度H＝400nm，宽度W＝400nm，长度LC＝5.75μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述第一凹槽(3)和所述第二凹槽(4)个数相同。

7.根据权利要求5所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述第一凹槽(3)的长度为WA＝210～290nm，所述第一凹槽(4)的高度为HA＝135～

165nm，所述第二凹槽(4)的长度为WB＝135～165nm，所述第二凹槽(4)的高度为HB＝210～

290nm。

8.根据权利要求7所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，

所述第一凹槽(3)和所述第二凹槽(4)的宽度均为a＝95～130nm；

相邻所述第一凹槽(3)之间的距离和相邻所述第二凹槽(4)之间均为Λ＝95～130nm。