1.一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）准备一两端敞口的石英管，所述石英管的两端分别为原料端和基底端，在所述石英管的基底端内放置一基底，在所述石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对所述石英管‑6 ‑3抽真空，密封所述石英管，以使该石英管的管内压强为10 10 Pa，其中，所述原材料为2.3~~2.5质量份数的MoO3、0.36~0.42质量份数的S粉和0.35质量份数的TiO2，所述输运剂为单质碘；

2）对所述石英管的原料端和基底端同时加热0.5 1h，冷却至室温20 25℃，在基底上得~ ~到Ti掺杂单层二硫化钼单晶，其中，所述原料端的加热温度为750 900℃，所述基底端的加~热温度为400 700℃。

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2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1）中，所述基底为云母或石墨。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1）中，所述石英管的长度为15 40 cm，内径为10‑20mm。

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4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1）中，按质量份数计，所述原材料和输运剂的比为（2 6）：（3‑8）。

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5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2）中，加热至750 900℃的~升温速率为25 50℃/min，加热至400 700℃的升温速率为25 50℃/min。

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6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2）中，所述原料端和基底端之间温度的梯度为3 30℃/cm。

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7.如权利要求1 6中任意一项所述制备方法获得的Ti掺杂单层二硫化钼单晶。

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8.如权利要求1 6中任意一项所述制备方法在同时实现单层二硫化钼光致发光增强和~单层二硫化钼单晶制备中的应用。