1.一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜的制备方法，其特征在于：所述薄膜从上到下依次为保护层、合金层、缓冲层，具体制备步骤为：步骤一：将Si/SiO2衬底用异丙醇，去离子水超声清洗各5分钟；

步骤二：在Si/SiO2衬底上溅射生长Ru作为缓冲层；

步骤三：生长合金层TbCo，厚度为6‑10nm；

具体为：靶和衬底的距离为14.5‑15.5cm，靶和衬底的溅射倾角为40°‑50°，溅射室本底‑8真空3x 10 Torr，溅射Ar气压为3mTorr,溅射温度为室温，Co,Tb溅射电源都为交流电源，Tb的溅射功率为27‑30w，Co的溅射功率为100w，合金层TbCo的厚度为6‑10nm；

步骤四：在合金层TbCo上生长Ru作为保护层。

2.根据权利要求1所述的一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜的制备方法，其特征在于：所述缓冲层和保护层的厚度选择为2nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜的制备方法，其特征在于：合金层TbCo的厚度为8nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜的制备方法，其特征在于：所生长的合金层的溅射功率为29w。