1.一种硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将硅藻土与海藻酸钠混合，加入水后进行研磨得到前驱体浆料；

2)将前驱体均匀涂覆到铜箔上，进行干燥；

3)将干燥的铜箔、聚酰亚胺膜、金属锂片依次堆叠好，在氩气或氮气气氛下进行封装，并注入碳酸酯类混合液体；

4)将封装好的产品进行充放电数次，然后将铜箔取出，依次用碳酸乙烯酯和去离子水洗涤数次，干燥后除掉铜箔，得到硅纳米线阵列；

所述步骤1)中，硅藻土经以下预处理：将工业级硅藻土原料、氯化钠、镁粉按质量比1:(1～3):(1～3)混合研磨，接着在500～700℃氩气气氛下煅烧1～3小时，然后酸洗、水洗、真空干燥；

所述步骤3)中，碳酸酯类混合液体包括含双三氟甲基磺酰亚胺锂的碳酸乙烯酯、碳酸二乙酯及其混合溶液；

所述步骤4)中，充放电时电压范围为1～3V，充放电次数为20～40次，真空干燥时间为6～8小时。

2.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，硅藻土与海藻酸钠的质量比为9:(0.5～1)，研磨时间为10～30分钟。

3.根据权利要求2所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，每

100mg的硅藻土加入去离子水的量为1～3mL。

4.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，铜箔厚度为10～15μm。

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5.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，每2cm的铜箔对应碳酸酯类混合液体的加入量为0.5～1mL。

6.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，干燥条件为：在60℃预烘20～40分钟，之后60～80℃真空干燥10～12小时。

7.一种硅纳米线阵列，其特征在于，根据权利要求1‑6任一项所述的制备方法制备得到。