1.双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，为中心对称结构，其特征在于包括SIW矩形腔、金属化通孔阵列微扰、输入耦合窗、输出耦合窗、输入转接器、输出转接器、输入端口、输出端口、两个结构和尺寸相同的互补分裂环谐振器CSRR；

所述金属化通孔阵列微扰位于SIW矩形腔的中心位置；所述输入耦合窗、输出耦合窗位于SIW矩形腔长度方向的两侧壁处，且两者错开设置；输入耦合窗、输出耦合窗处无金属化通孔设置；

所述SIW矩形腔内在中心两侧各设置有一个互补分裂环谐振器CSRR；两个CSRR初始位置位于微扰后的TE101模和TE201模电场最强处；

利用SIW矩形腔的TE101模和TE201模构建双频带滤波器的高频通带；利用CSRR构建双频带滤波器的低频通带。

2.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于金属化通孔阵列微扰沿SIW矩形腔的宽度方向排列，其长度c1与SIW矩形腔宽度w之比c1/w小于0.5。

3.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于所述输入转接器和输出转接器均采用梯形渐变线的形式进行阻抗匹配。

4.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于两个CSRR与SIW矩形腔中心的距离相同。

5.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于所述互补分裂环谐振器CSRR包括方形外环缝隙、以及嵌套在方形外环缝隙内的方形内环缝隙；方形外环缝隙和方形内环缝隙的中心重合；方形外环缝隙和方形内环缝隙均开有一个开口，开口位于CSRR对称轴上，且两环开口朝向相反。

6.如权利要求5所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于所述互补分裂环谐振器CSRR内方形外环缝隙的开口和方形内环缝隙的开口宽度相同。

7.如权利要求5所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于两个CSRR的方形外环缝隙均朝向SIW矩形腔的中心。

8.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于：

定义输入端口与TE101模、TE201模和CSRR1之间的耦合系数分别为MS1、MS2和MS3，输出端口与TE101模、TE201模和CSRR2之间的耦合系数分别为ML1、ML2和M4L，TE101模与两个CSRR之间的混合交叉耦合系数分别为M13和M14，TE201模与两个CSRR之间的混合交叉耦合系数分别为M23和M24，两个CSRR之间的耦合系数为M34；

根据TE101模和TE201模的场分布，可知MS1=ML1,MS2=‑ML2；当MS1/MS2>1时，该双频带滤波器将在高频通带的上阻带产生一个传输零点，并且MS1/MS2越大，该传输零点离高频通带的距离越近；其中，MS1/MS2的大小通过调节输入、输出耦合窗与SIW矩形腔中心线的距离s进行调控。

9.如权利要求1所述的双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，其特征在于：

当SIW矩形腔的长宽比大于2时，TE301模成为距离高频通带最近的高次模，由TE301模引起的寄生耦合与TE101模和TE201模相互作用，能够在低于TE301模的谐振频率的位置产生另一个传输零点，该传输零点的位置通过调节输入、输出耦合窗与SIW矩形腔中心线的距离s进行调控；由于CSRR和TE101模、TE201模之间的混合交叉耦合路径，在两个通带之间获得了两个额外的传输零点，这两个传输零点的位置由CSRR的宽度b和CSRR与SIW矩形腔中心距离c2调控。