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专利号: 2021114926443
申请人: 洛阳理工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜,其特征在于包括衬底和Nb2O5/AgNW双层结构,银纳米线AgNW均匀分布在薄膜中,Nb2O5层的厚度为60nm;该Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜在波长为550nm时光学透过率为91.2%,方块电阻为8.9Ω/sq;所述Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜是按照以下方法制备的:(1)依次用无水乙醇和去离子水超声清洗PET衬底,并用高纯氮气吹干,备用;

(2)将银纳米线AgNW与无水乙醇混合均匀制成混合溶液,混合溶液中银纳米线的浓度为1.5mg/ml;

(3)将步骤(1)处理好的衬底吸附在匀胶机上,设置匀胶机参数为600rpm,时间为20s,在衬底表面均匀旋涂步骤(2)制备的AgNW与无水乙醇的混合溶液,使银纳米线旋涂在衬底表面;

(4)将步骤(3)旋涂好银纳米线的衬底放置在烘箱中于60℃下烘烤5分钟;

(5)将步骤(4)烘干后的PET衬底固定到磁控溅射样品台上,衬底涂有银纳米线的一面朝向磁控溅射系统的真空腔体;

(6)将Nb2O5靶材装入真空腔体内,靶材与衬底的距离控制在60mm;

‑4

(7)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10 Pa,通入50sccm的氩气,压强调节为

0.6Pa,溅射功率为50W,在室温下,使用Ar作为溅射气体进行沉积,在衬底的银纳米线表面得到60nm厚的Nb2O5薄膜;

(8)待步骤(7)沉积完成后,将步骤(7)中获得的薄膜取出,即得到Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜。

2.如权利要求1所述的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜,其特征在于Nb2O5层的厚度为20nm;该Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜在波长为550nm时光学透过率为

90.1%,方块电阻为8.6Ω/sq。

3.如权利要求2所述的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜,其特征在于制备时,步骤(2)中银纳米线的浓度为1.0mg/ml,步骤(3)中设置匀胶机参数为500rpm,时间为5s,步骤‑(6)中靶材与衬底的距离控制在90mm,步骤(7)中磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×103

Pa,压强调节为0.3Pa,溅射功率为20W。

4.如权利要求1‑3任一所述的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜,其特征在于步骤(7)中氩气的纯度在99.99%以上。

5.如权利要求1‑3任一所述的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜,其特征在于步骤(6)Nb2O5靶材中Nb2O5的纯度为99.99%。