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专利号: 2021115026663
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将钼酸盐和硫源超声分散于去离子水中并进行溶剂热反应,经洗涤、干燥,得到二硫化钼;

其中,所述钼酸盐与所述硫源物质的量之比为1:2‑4;

(2)将碳源和氮源混合均匀,然后向其中加入步骤(1)制得的二硫化钼,经充分混合后去除溶液中的残留气泡,得到混合液;

其中,所述碳源与所述氮源的质量比为1:2‑3;所述碳源与所述二硫化钼的质量比为1:

1;

(3)将步骤(2)的混合液的溶剂彻底蒸发,得到碳源/MoS2气凝胶;

(4)于氮气气氛中,以3‑5℃/min的升温速率,将步骤(3)的碳源/MoS2气凝胶先于500‑

600℃下加热2‑3h,再于800℃下进一步碳化1h后冷却至室温,再经过洗涤、真空干燥后,得到N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的钼酸盐选自钼酸钠、钼酸钾、四水合钼酸铵中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的硫源选自硫脲、L‑半胱氨酸、硫代乙酰胺中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中溶剂热反应于反应釜中进行,所述去离子水占所述反应釜特氟龙内衬容积的60%,然后于190‑220℃下保温反应20‑36h。

5.根据权利要求1所述的一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)的碳源选自海藻酸钠、海藻酸钾、木质素中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)的氮源选自尿素、三聚氰胺、氨水中的一种。

7.一种权利要求1‑6任一项所述的制备方法制得的N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料。

8.一种利用权利要求7所述的N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料制备的负极材料。

9.一种权利要求8所述的负极材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料、导电乙炔黑和聚偏氟乙稀混合,加入N‑甲基吡咯烷酮后研磨至得到均相的黑色泥浆,将黑色泥浆均匀铺设于泡沫镍上,经干燥、压制,得到负极材料;

其中,N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料、导电乙炔黑和聚偏氟乙稀的质量比为0.75‑0.85:0.1‑0.15:0.1‑0.15。

10.一种权利要求8所述的负极材料在制备超级电容器负极材料中的应用。