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专利号: 2021115208996
申请人: 长春大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将钙钛矿钴酸镧氧化物和还原性溶剂混合进行溶剂热反应,得到溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物,所述钙钛矿钴酸镧氧化物的化学式为Lax1Mx2CoO3,所述Lax1Mx2CoO3中的M为过渡金属元素,所述Lax1Mx2CoO3中的x1为0.8≤x1<1,所述Lax1Mx2CoO3中的x2为0≤x2<0.1。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述M包括Ag和/或Ce。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿钴酸镧氧化物的化学式为La0.9CoO3、La0.9Ag0.05CoO3或La0.9Ce0.05CoO3。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述还原性溶剂包括丙酮和/或乙二醇。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂热反应的保温温度为150~

200℃,所述溶剂热反应的保温时间为12~24h,由室温升温至所述溶剂热反应的保温温度的升温速率为4~6℃/min。

6.根据权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿钴酸镧氧化物的制备方法包括以下步骤:将钙钛矿钴酸镧氧化物前驱体退火处理,得到所述钙钛矿钴酸镧氧化物;

所述退火处理的保温温度为550~850℃,由室温升温至所述退火处理的保温温度的升温速率为4~6℃/min。

7.权利要求1~6任一项所述制备方法制备得到的溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物,其特征在于,包括钙钛矿钴酸镧氧化物母体和生长于所述钙钛矿钴酸镧氧化物母体表面的子体;

所述子体包括Co3O4纳米颗粒,当所述x2不为0时,所述子体还包括纳米过渡金属颗粒。

8.根据权利要求7所述的溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物,其特征在于,所述子体的粒径独立地为30~50nm。

9.根据权利要求7所述的溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物,其特征在于,所述钙钛矿钴酸镧氧化物母体的粒径为200~300nm。

10.权利要求1~6任一项所述制备方法制得的溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物或权利要求

7~9任一项所述溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物在超级电容器中的应用。