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专利号: 2021115456553
申请人: 长春理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于增益剪裁调控的多波长中红外光参量振荡器,其特征在于,所述振荡器包括:

第一腔镜、声光Q开关、Nd:YVO4晶体、第二腔镜、耦合镜组、泵浦模块、第三腔镜、第四腔镜、MgO:APLN晶体、第一反射镜、第二反射镜、第五腔镜和输出镜,其中:所述泵浦模块、耦合镜组、第二腔镜、Nd:YVO4晶体和第三腔镜在水平方向上由左至右依次排列,所述泵浦模块、耦合镜组和Nd:YVO4晶体垂直于所述水平方向放置;

所述声光Q开关和第一腔镜依次放置于所述第二腔镜的正下方;

所述MgO:APLN晶体水平放置于所述第三腔镜的斜下方;

所述第四腔镜、第二反射镜和第五腔镜放置于所述MgO:APLN晶体上方的水平方向上,所述第一反射镜和输出镜依次放置于所述MgO:APLN晶体下方的水平方向上;

所述第二反射镜和第五腔镜放置于所述第四腔镜的右侧;

所述第四腔镜处于所述第三腔镜与MgO:APLN晶体之间,所述第五腔镜处于所述第二反射镜上方;

所述输出镜沿水平方向放置,所述第二腔镜和第三腔镜朝所述Nd:YVO4晶体倾斜放置,所述第四腔镜相对于水平方向倾斜放置,以使所述第一腔镜、第二腔镜、第三腔镜、第四腔镜和输出镜组成基频光谐振腔;

所述第一反射镜和第二反射镜沿水平方向放置,以使所述第四腔镜、第一反射镜、第二反射镜和输出镜组成多光参量振荡谐振腔。

2.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,所述MgO:APLN晶体的非周期极化方向沿竖直方向设置。

3.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,所述第二腔镜朝所述Nd:YVO4晶体呈45°倾斜放置。

4.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,泵浦模块的输出波长为813nm。

5.如权利要求1‑4中任一项所述的光参量振荡器,其中:所述第一腔镜镀813nm高反膜和1084nm高反膜;

所述第二腔镜镀813nm高透膜和1084nm 45°全反膜;

所述第三腔镜镀813nm高反膜和1084nm高反膜;

所述第四腔镜镀813nm高透膜、1084nm高透膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;

所述第五腔镜镀1.70μm高反膜;

所述输出镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm增透膜。

6.如权利要求5所述的光参量振荡器,其中:所述第一反射镜10镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;

所述第二反射镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.61μm高反膜、1.70μm高透膜和3.0μm‑4.0μm高反膜。

7.如权利要求1‑6中任一项所述的光参量振荡器,其中,所述振荡器还包括第三反射镜和第六腔镜;

所述第三反射镜和第六腔镜从上至下依次放置于所述MgO:APLN晶体下方的水平方向上,且所述第三反射镜和第六腔镜放置于所述第一反射镜的右侧;

所述输出镜放置于所述MgO:APLN晶体上方的水平方向上,且所述输出镜处于所述第二反射镜和第五腔镜的右侧;

所述第四腔镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜和输出镜组成多光参量振荡谐振腔。

8.如权利要求7所述的光参量振荡器,其中:所述第三反射镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.51μm高反膜、1.61μm高透膜、1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;

所述第六腔镜镀1.61μm高反膜。

9.如权利要求7或8所述的光参量振荡器,其中,所述振荡器还包括第四反射镜和第七腔镜;

所述第四反射镜和第七腔镜放置于所述MgO:APLN晶体上方的水平方向上,且所述第四反射镜和第七腔镜放置于所述第二反射镜的右侧,所述第七腔镜放置于所述第四反射镜的上方;

所述输出镜放置于所述MgO:APLN晶体下方的水平方向上,且所述输出镜放置于所述第三反射镜的右侧;

所述第四腔镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、第四反射镜和输出镜组成多光参量振荡谐振腔。

10.如权利要求9所述的光参量振荡器,其中:所述第四反射镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm高反膜、1.51μm高透膜、1.61μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;

所述第七腔镜镀1.51μm高反膜。