1.一种羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于，所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物为如下式P1至式P10所示的任一种聚合物：其中，在式P1至式P10中，n为正整数。

2.根据权利要求1所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于：所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物通过芳基‑芳基偶联反应制备而成。

3.根据权利要求2所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于：所述芳基‑芳基偶联反应为Suzuki偶联反应、Stille偶联反应、Negishi偶联反应或直接芳基化Direct Arylation偶联反应。

4.一种羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于，所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物为如下式P11或式P12所示的聚合物：其中，在式P11或式P12中，m、n为正整数。

5.根据权利要求4所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于：所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物通过芳基‑芳基偶联反应制备而成。

6.根据权利要求5所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物，其特征在于：所述芳基‑芳基偶联反应为Suzuki偶联反应、Stille偶联反应、Negishi偶联反应或直接芳基化Direct Arylation偶联反应。

7.一种聚合物共混物，其特征在于，所述聚合物共混物包含权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物和光电功能材料。

8.根据权利要求7所述的聚合物共混物，其特征在于：所述光电功能材料为具有半导体、电荷传输、电子/空穴传输、电子/空穴阻挡、导电、光导、光敏、光伏或发光性质的有机物或无机物中的一种或多种。

9.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求7所述的聚合物共混物；与一种或多种溶剂。

10.权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求7所述的聚合物共混物或权利要求9所述的组合物在光学、电子学、电子、光探测、电致发光、光致发光、光电或者光伏器件中作为光电活性材料的应用。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于：

所述光电活性材料包括半导体材料、电荷传输材料、光导材料、导电材料、发光材料、光敏材料或光伏材料中的一种或多种。

12.一种器件，其特征在于，所述器件包含权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求7所述的聚合物共混物或权利要求9所述的组合物。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：

所述器件为光学器件、光电学器件、电子器件、电致发光器件、光致发光器件、光探测器件或光伏器件。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于：

所述器件为有机场效应晶体管OFET、薄膜晶体管TFT、集成电路IC、逻辑电路、电容器、无线电射频识别RFID标签、有机发光二极管OLED、有机发光晶体管OLET、平板显示器、显示器背光照明、有机光伏OPV器件、体异质结BHJ有机光伏OPV器件、聚合物太阳能电池PSCs、太阳能电池、有机光电探测器OPD、光电探测器PD、激光二极管、光导体、光检测器、电子照相器件、电子照相记录器件、生物记忆器件、感应器件、电荷注入层、电荷传输层、电荷阻挡层、聚合物发光二极管PLED中的活性层或电荷传输层、有机等离子体激元发射二极管OPED、肖特基二极管、平面化层、抗静电膜、聚合物电解质膜PEM、导电基底、导电图案、电极材料、配向层、生物传感器、生物芯片、生物成像、安全标识、安全器件或用于检测和区别DNA序列的器件。

15.一种光活性层，其特征在于：所述光活性层包含权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物和n‑型电子受体。

16.根据权利要求15所述的光活性层，其特征在于：所述n‑型电子受体为小分子化合物或聚合物；和/或所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物与所述n‑型电子受体的质量比为1：（0.2 5）；

~

和/或

所述光活性层由光活性层溶液形成，所述光活性层溶液的配制为：采用溶剂将所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物和n‑型电子受体混合均匀，得到所述光活性层溶液。

17.根据权利要求16所述的光活性层，其特征在于：所述n‑型电子受体为末端带有吸电子单元的A‑D‑A型小分子化合物或末端带有吸电子单元的A‑D‑A型小分子化合物的聚合物。

18.根据权利要求16所述的光活性层，其特征在于：所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物与所述n‑型电子受体的质量比为1：（0.5 2）。

~

19.根据权利要求18所述的光活性层，其特征在于：所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物与所述n‑型电子受体的质量比为1:1。

20.根据权利要求16所述的光活性层，其特征在于：所述溶剂为甲苯、二甲苯、三甲苯、苯甲醚、甲基四氢呋喃、氯仿、氯苯、二氯苯中的至少一种溶剂或包含其中至少一种溶剂的混合物。

21.根据权利要求16所述的光活性层，其特征在于：所述光活性层溶液中含有的所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物中浓度为0.5  80 ~mg/mL。

22.根据权利要求21所述的光活性层，其特征在于：所述光活性层溶液中含有的所述羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物中浓度为4  20 ~mg/mL。

23.根据权利要求16所述的光活性层，其特征在于：所述光活性层溶液中含有的所述n‑型电子受体的浓度为0.5  60 mg/mL。

~

24.根据权利要求23所述的光活性层，其特征在于：所述光活性层溶液中含有的所述n‑型电子受体的浓度为3  20 mg/mL。

~

25.权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求15至24中任一项所述的光活性层在薄膜半导体器件、光探测器件、有机光伏器件、聚合物太阳能电池器件或光电器件中的应用。

26.一种聚合物太阳能电池器件，其特征在于，包括第一电极、与所述第一电极间隔开的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间设置的至少一层半导体层，所述半导体层包含权利要求1至3中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求4至

6中任一项所述的羰基取代苯并二噻吩类共轭聚合物或权利要求15至24中任一项所述的光活性层。