1.一种纳米晶碳化硅块材，其平均晶粒尺寸小于100nm，其维氏硬度等于或高于40GPa。

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2.根据权利要求1所述的纳米晶碳化硅块材，其体积大于0.05mm。

3.根据权利要求1或2所述的纳米晶碳化硅块材制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干；

B)预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；

C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为4～28GPa，烧结温度为1000～2500℃，保温时间为1～60min；

D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。

4.根据权利要求3所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中所用的碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5～100nm，其是单一尺寸晶粒的或是几种尺寸晶粒的混合。

5.根据权利要求3所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中酸洗所用的酸为氢氟酸，其浓度为10％～40％，酸洗时间为15～90min。

6.根据权利要求3所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中的酸洗在聚四氟乙烯容器中、在超声波作用下进行。

7.根据权利要求6所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)的酸洗过程中还使用离心机进行处理。

8.根据权利要求1所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中的烘干‑1

操作使用真空干燥箱进行，真空度高于1×10 Pa，烘干温度为40～80℃，烘干时间为12～

24h。

9.根据权利要求1所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤B)中施加的预压力为5～10MPa，预压方式为双向加压。

10.根据权利要求1所示的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤C)中，先将步骤B)得到的预压坯体装入氮化硼坩埚中，然后放入组装块中进行高温高压烧结，其中组装块包括加热体、保温层、传压层，加热体为铼片和/或石墨，保温层为氧化锆和/或氧化铝，传压层为氧化镁和/或铬酸镧；任选地，步骤C)中升温速率为50～150℃/min。