1.一种纳米晶碳化硅块材，其平均晶粒尺寸小于100 nm，其维氏硬度的渐进线硬度值3

高于40.5GPa，其体积大于0.05mm ，所述纳米晶碳化硅块材是由包括以下步骤的方法制备的：A) 预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干，其中所述碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5 100 nm，其是单一尺寸晶粒的或是几~种尺寸晶粒的混合；

B) 预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；

C) 烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为15 28 GPa，烧~结温度为1400 1900 ℃，保温时间为5 20 min；

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D) 出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。

2.一种纳米晶碳化硅块材的制备方法，所述纳米晶碳化硅块材的平均晶粒尺寸小于3

100 nm，维氏硬度的渐进线硬度值高于40.5GPa，且体积大于0.05mm ，所述方法包括以下步骤：A) 预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干，其中所述碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5 100 nm，其是单一尺寸晶粒的或是几~种尺寸晶粒的混合；

B) 预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；

C) 烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为15 28 GPa，烧~结温度为1400 1900 ℃，保温时间为5 20 min；

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D) 出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。

3.根据权利要求2所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中酸洗所用的酸为氢氟酸，其浓度为10% 40%，酸洗时间为15 90 min。

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4.根据权利要求2所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中的酸洗在聚四氟乙烯容器中、在超声波作用下进行。

5.根据权利要求4所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)的酸洗过程中还使用离心机进行处理。

6.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤‑1A)中的烘干操作使用真空干燥箱进行，真空度高于1×10  Pa，烘干温度为40 80 ℃，烘干~时间为12 24 h。

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7.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤B)中施加的预压力为5 10 MPa，预压方式为双向加压。

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8.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤C)中，先将步骤B)得到的预压坯体装入氮化硼坩埚中，然后放入组装块中进行高温高压烧结，其中组装块包括加热体、保温层、传压层，加热体为铼片和/或石墨，保温层为氧化锆和/或氧化铝，传压层为氧化镁和/或铬酸镧。

9.根据权利要求8所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤C)中升温速率为50  150 ℃/min。

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