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专利号: 2021115758271
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,为双端口器件;其特征在于:为具有顶层、中间层及底层的三层结构;所述顶层包括一条微带线、两个50欧姆的电阻元件及两个SMA连接头,所述微带线有两个缺口处,缺口处均由50欧姆电阻元件焊接,所述微带线具有一个输入端口与一个输出端口,所述输入端口与所述输出端口均与所述微带线连接,且所述输入端口与所述输出端口分别用于连接所述SMA连接头,所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通;所述中间层是介质板;所述底层包括改进缺陷地结构,所述改进缺陷地结构包括螺旋线与DGS结构,所述螺旋线与所述DGS结构边缘之间有一个正方形环,在DGS结构中间有一个螺旋线结构,所述螺旋线结构上面置有一个PDMS,所述PDMS内部形成有微流体通道;微带线的输入输出端宽度为1.63mm,在电阻焊接部分渐变为0.4mm,在中心段微带线变成宽度为2.6mm、长度为3.8mm的矩形;所述DGS结构的刻蚀区域长度和宽度分别为11.8mm和

11.6mm,其中连接螺线的金属条带宽度为0.4mm,螺旋线宽度为0.2mm,在螺旋线末尾连接一个边长为0.6mm的正方形金属片。

2.根据权利要求1所述的基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,其特征在于:所述正方形环位于DGS结构边缘与螺旋线结构之间,为边长为6mm、宽度为0.4mm的正方形环。

3.根据权利要求2所述的基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,其特征在于:所述螺旋线结构位于上方所述微带线的中心矩阵的正下方。

4.根据权利要求1或3所述的基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,其特征在于:所述介质板为罗杰斯4350系列的介质板,其介电常数为3.66,损耗角正切为0.004,厚度是0.762mm。

5.根据权利要求4所述的基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,其特征在于:介质板呈方形结构设置。

6.根据权利要求1所述的基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,其特征在于:所述微带线与所述SMA连接头之间焊接连接。