1.一种ZnO基复合材料，包括ZnO纳米颗粒，以及依次包覆于所述ZnO纳米颗粒表面的SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层；所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的质量比为(1～7)：1。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述ZnO纳米颗粒与SiO2包覆层的质量比为100：(0.1～20)。

3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的总平均厚度为0.1～3nm。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的复合材料，其特征在于，所述ZnO基复合材料的平均粒径为3～6nm。

5.一种如权利要求1～4所述的ZnO基复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将ZnO纳米颗粒与硅源和溶剂混合进行水解反应，得到SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液；

(2)将所述步骤(1)得到的SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液与氨基硅源混合后进行水解反应，得到ZnO基复合材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(2)中的水解反应的温度独立地为0～90℃，水解反应的时间独立地为10min～10h。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的硅源为原硅酸乙酯、原硅酸甲酯和原硅酸丙酯中的一种。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的溶剂为无水乙醇和二甲基亚砜的混合溶液。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的氨基硅源包括3‑氨基丙基三甲氧基硅烷、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、3‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和3‑(甲基丙烯酰基)丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。

10.一种QLED器件，由上层至下层依次包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述电子传输层的材质为权利要求1～4任一项所述的ZnO基复合材料或由权利要求5～9任一项所述的制备方法制备得到的ZnO基复合材料。