1.一种具有多重闭环控制的半导体激光器脉冲驱动器，结构有脉冲显示模块（6）和前面板（9），其特征在于，结构还有单片机模块（1）、高压储能模块（2）、脉宽调节模块（3）、脉冲驱动模块（4）、调制输入模块（5）、指示灯驱动模块（7）、按键输入模块（8）、自适应取样模块（10）、脉冲峰值电流检测模块（11）、自适应峰值调节模块（12）、脉冲宽度检测模块（13）、检波模块（14）、带通滤波模块（15）、脉冲频率检测模块（16）；

所述的单片机模块（1）的结构为，单片机U1的端口VCC和端口GND分别接+5V电源和数字地,VCC通过电容C1、电容C2接地，电平转换芯片U2的端口VCC和端口GND分别接+5V电源和数字地，端口VDD通过电容C3接+5V电源，端口VEE通过电容C4接数字地，端口C2+和端口C2‑之间接电容C5，端口C1+和端口C1‑之间接电容C6，端口T1IN和端口R1OUT分别接单片机U1的端口RXD和端口TXD，端口R1IN和端口T1OUT分别接D形接口J3的3脚和2脚，D形接口J3的5脚接数字地，所述的单片机U1的型号是STC15W408S，电平转换芯片U2的型号是MAX232，D形接口J3是一个9针D形接口；

所述的高压储能模块（2）的结构为，开关控制芯片U3的端口GND接模拟地，端口VCC接+

12V电源、通过电阻R2接端口SWC并通过电容C7接模拟地，端口SWE接N沟道场效应管Q1的栅极并通过电阻R4接模拟地，端口TCAP通过电容C8接模拟地，端口IPK接脉冲变压器T1的初级线圈的同名端、通过电阻R3接端口DRVC并通过电阻R1接+12V电源，脉冲变压器T1的初级线圈的另一端接N沟道场效应管Q1的漏极，N沟道场效应管Q1的源极接模拟地，开关控制芯片U3的端口‑V IN接数字电位器U4的端口W并通过电阻R5接模拟地，数字电位器U4的端口VDD和端口GND分别接+5V电源和数字地，端口ADDR和端口VSS分别接+5V电源和数字地，端口EXT_CAP通过电容C9接数字地，端口SCL通过电阻R9接单片机U1的端口P20，端口SDA通过电阻R8接单片机U1的端口P21，端口通过电阻R7接+5V电源，脉冲变压器T1的次级线圈的同名端接肖特基二极管D1的正极并通过电阻R6接数字电位器U4的端口A，脉冲变压器T1的次级线圈的另一端接模拟地，肖特基二极管D1的负极作为高压储能模块（2）的输出端记为端口H_Vpulse、并通过相互并联的电容C10、C11、C12、C13和C14接模拟地，所述的开关控制芯片U3的型号是MC34063，数字电位器U4的型号是AD5272BRMZ‑100；

所述的按键输入模块（8）的结构为，反相施密特触发器U11A的输入端通过电阻R31接插座J5的1脚、通过电阻R30接+5V电源并通过电容C22接数字地，输出端接单片机U1的端口P06，反相施密特触发器U11B的输入端通过电阻R33接插座J5的2脚、通过电阻R32接+5V电源并通过电容C23接数字地，输出端接单片机U1的端口P07，反相施密特触发器U11C的输入端通过电阻R35接插座J5的3脚、通过电阻R34接+5V电源并通过电容C24接数字地，输出端作为按键输入模块（8）的一个输出端记为端口Enable，反相施密特触发器U11D的输入端通过电阻R37接插座J5的4脚、通过电阻R36接+5V电源并通过电容C25接数字地，输出端接单片机U1的端口INT0，反相施密特触发器U11E的输入端通过电阻R39接插座J5的5脚、通过电阻R38接+5V电源并通过电容C26接数字地，输出端接单片机U1的端口INT1；

所述的调制输入模块（5）的结构为，单片机U1的端口P25接N沟道场效应管Q3的栅极，N沟道场效应管Q3的源极接模拟地，漏极接继电器K1的5脚，继电器K1的4脚接+12V电源，3脚接单片机U1的端口P24，1脚作为调制输入模块（5）的输出端记为端口Pulse_Orig，2脚接肖特基二极管D6的正极、肖特基二极管D7的负极并通过电阻R18接运放U9A的输出端，肖特基二极管D6的负极接+5V电源，肖特基二极管D7的正极接数字地，运放U9A的同相输入端通过电阻R17接运放U9A的输出端并通过电阻R16接数字地，反相输入端接肖特基二极管D4的正极、肖特基二极管D5的负极并通过电阻R15接插座J2的1脚，肖特基二极管D4的负极接+5V电源，肖特基二极管D5的正极接数字地，插座J2的2脚接数字地；

所述的脉宽调节模块（3）的结构为，D触发器U5A的端口D接按键输入模块（8）的端口Enable，端口CLK接调制输入模块（5）的端口Pulse_Orig，端口CLR接+5V电源，端口作为脉宽调节模块（3）的输出端记为端口Pulse_LC，端口PR接数字电位器U6的端口A并通过电容C15接数字地，端口Q接电位器W1的抽头端，电位器W1的一个固定端接数字电位器U6的端口W，数字电位器U6的端口VDD和端口GND分别接+5V电源和数字地，端口ADDR和端口VSS分别接+5V电源和数字地，端口EXT_CAP通过电容C16接数字地，端口SCL通过电阻R12接单片机U1的端口P22，端口SDA通过电阻R11接单片机U1的端口P23，端口通过电阻R10接+5V电源，所述的数字电位器U6的型号是AD5272BRMZ‑50；

所述的脉冲驱动模块（4）的结构为，电位器W2的抽头端接脉宽调节模块（3）的端口Pulse_LC，电位器W2的一个固定端通过电容C19接模拟地并接MOSFET驱动芯片U7的端口IN A和端口IN B，MOSFET驱动芯片U7的端口VCC和端口GND分别接+12V电源和模拟地，端口EN A和EN B接+12V电源并通过相互并联的电容C17和电容C18接模拟地，端口OUT A和端口OUT B接二极管D2的正极并接PNP三极管Q2的基极，PNP三极管Q2的集电极接模拟地，二极管D2的负极接二极管D3的正极，二极管D3的负极接PNP三极管Q2的射极并接电阻R13和电容C20的一端，电阻R13和电容C20的另一端接在一起后接高速MOSFET芯片U8的端口G并通过电阻R14接模拟地，高速MOSFET芯片U8的1脚、3脚、4脚和6脚接在一起后作为脉冲驱动模块（4）的输出端记为端口L_Apulse，高速MOSFET芯片U8的端口D接插座J12的2端口，插座J12的1端口接端口H_Vpulse；所述的MOSFET驱动芯片U7的型号是IXDD404，高速MOSFET芯片U8的型号是DE275‑201N25A；

所述的自适应取样模块（10）的结构为，单片机U1的端口P55接N沟道场效应管Q10的栅极，N沟道场效应管Q10的源极接模拟地，漏极接继电器K2的5脚，继电器K2的4脚接+12V电源，3脚通过接电阻Rs1接地，1脚接脉冲驱动模块（4）的端口L_Apulse，2脚通过电阻Rs2接地；所述的继电器K2的型号是HRS4H‑S‑DC12V；

所述的脉冲显示模块（6）的结构为，显示屏U10的端口D0～端口D7分别接单片机U1的端口P10～端口P17，端口EN、端口W/R和端口RS分别接单片机U1的端口P26、端口和端口，端口VL和端口BL‑接数字地，端口BL+接电位器W3的抽头端，端口VDD接+5V电源并通过电容C21接数字地，端口VSS接数字地，电位器W3的一个固定端接+5V电源，所述的显示屏U10的型号为LCD1602；

所述的指示灯驱动模块（7）的结构为，N沟道场效应管Q4的栅极通过电阻R20接单片机U1的端口P03，源极接数字地，漏极通过电阻R19接插座J4的1脚，N沟道场效应管Q5的栅极通过电阻R22接单片机U1的端口P04，源极接数字地，漏极通过电阻R21接插座J4的2脚，N沟道场效应管Q6的栅极通过电阻R24接单片机U1的端口P05，源极接数字地，漏极通过电阻R23接插座J4的3脚，P沟道场效应管Q7的栅极通过电阻R26接按键输入模块（8）的端口Enable，源极接+5V电源，漏极通过电阻R25接插座J4的4脚；N沟道场效应管Q8的栅极接P沟道场效应管Q9的栅极并通过电阻R29接单片机U1的端口P25，源极接数字地，漏极通过电阻R27接插座J4的5脚，P沟道场效应管Q9的源极接+5V电源，漏极通过电阻R28接插座J4的6脚；

所述的前面板（9）的结构有，显示屏901、脉冲幅度指示灯902、脉冲宽度指示灯903、重复频率指示灯904、脉冲参数选择按钮905、参数调节旋钮906、电源开关907、输出控制开关

908、调制输入端口909、内部调制指示灯910、外部调制指示灯911、工作模式按钮912、电流输出指示灯913和电流输出端口914，其中，显示屏901是脉冲显示模块（6）中所述的显示屏U10，型号为LCD1602，脉冲幅度指示灯902、脉冲宽度指示灯903、重复频率指示灯904、电流输出指示灯913和内部调制指示灯910是5个发光二极管，其正极均接+5V电源，负极分别接指示灯驱动模块（7）中插座J4的1脚、2脚、3脚，4脚和5脚，外部调制指示灯911也是个发光二极管，其正极接指示灯驱动模块（7）中插座J4的6脚，负极接数字地，脉冲参数选择按钮905的一个引脚接按键输入模块（8）中插座J5的1脚，另一个引脚接数字地，参数调节旋钮906是一个旋转编码器，旋转编码器的1脚接按键输入模块（8）中插座J5的4脚，旋转编码器的2脚接按键输入模块（8）中插座J5的5脚，旋转编码器的3脚公共端接数字地，电源开关907是整个装置是否通电的总开关，输出控制开关908是一个钥匙开关，钥匙开关的一个引脚接按键输入模块（8）中插座J5的3脚，另一个引脚接数字地，调制输入端口909是一个SMA母头，其正极接调制输入模块（5）中插座J2的1脚，负极接调制输入模块（5）中插座J2的2脚，工作模式按钮912的一个引脚接按键输入模块（8）中插座J5的2脚，另一个引脚接数字地，电流输出端口914是也一个SMA母头，其正极接脉冲驱动模块（4）中插座J1的1脚，负极接脉冲驱动模块（4）中插座J1的2脚；

所述的脉冲峰值电流检测模块（11）的结构为，放大器U12A的端口4接地，端口3接端口L_Apulse，端口8接+5V电源，端口1接D8输入端， D8的输出端接电容C27接地，端口2接R42接地并与二极管D8的输出端接单片机U1的端口P00；

所述的自适应峰值调节模块（12）的结构为，U13的VDD端口和GND端口分别接+5V电源和模拟地，端口ADDR接+5V电源，端口SCL经电阻R44接单片机U1的端口P02，端口SDA经电阻R45接单片机U1的端口P27，端口经电阻R46接+5V电源，端口EXT_CAP经电容C28接地，端口VSS接地，端口W接U12B的端口6、并经R47接地，U12B的端口5接L_Apulse，端口A接U12B的端口7后作为自适应峰值调节模块（12）的输出端记为端口H_Apulse；

所述的脉冲宽度检测模块（13）的结构为，端口H_Apulse接U14B的端口5、接U14A的端口

2，U15的VCC端口和VSS端口分别接+5V电源和‑5V电源，端口S1接地，端口S3接Sine1k，端口IN3接U14B的端口7，U14B的端口8接+5V电源，D10的正极接地、D10的负极接U14A的端口3、接U14B的端口6、并经电阻R48接+5V电源，U14B的端口4接地，端口1接U15的端口IN1，U15的端口D1和端口D3接R49并通过接C29接地，U16A的端口3接地，端口4接‑5V电源，端口8接+5V电源，端口2通过R50接电容C29的正极、通过电容C30接端口1，端口1通过R51接C29的正极，端口1通过R52接电容C31接地，U16B的端口5接地，端口6通过R53接电容C31的正极、通过电容C32接U16B的端口7，U16B的端口7通过电阻R54接电容C31的正极、并作为脉冲宽度检测模块（13）的输出端记为端口SineD；

所述的检波模块（14）的结构有，U17的端口RMS通过电容C37接端口IBFOUT、接端口IBUFIN‑，端口IBUFIN+通过电容C36接端口SineD、通过电阻R55接端口IGND，端口OGND接地，端口OUT通过接电容C35接地、接端口OBUFIN+，端口CAVG通过接电容C34接+5V电源，端口CCF通过接电容C33接+5V电源，端口VCC、端口IBUFV+、端口OBUFV+接+5V电源，端口OBUFOUT和端口OBUFIN‑接单片机U1的端口P01，端口VEE接‑5V电源；

所述的带通滤波模块（15）的结构有，U18A的端口4接‑5V电源，端口8接+5V电源，端口2通过接R58接端口1、通过电容C38并通过R56接单片机U1端口P41，电容C38与R56公共点经R57接地、通过C39接端口1，端口1通过R59并通过C40接U18的端口6，U18B的端口6通过R61接端口7，R59与电容C40的公共点通过C41接端口7、通过接R60接地，端口7作为带通滤波模块（15）的输出端记为端口Sine1k；

所述的脉冲频率检测模块（16）的结构有，U19的端口RST接地，端口CLK接端口H_Apulse、接U20的端口I0，端口Q1接U20的端口I1，端口Q2接U20的端口I2，端口Q3接U20的端口I3，端口Q4接U20的端口I4，端口Q5接U20的端口I5，端口Q6接U20的端口I6，端口Q7接U20的端口I7，U20的端口A接单片机U1的端口P35，U20的端口B接单片机U1的端口P36，U20的端口C接单片机U1的端口P37，端口接地，端口Z接单片机U1的端口P34。

2.根据权利要求1所述的一种具有多重闭环控制的半导体激光器脉冲驱动器，其特征在于，各元件的参数为：电容C1为47uF、电容C2、电容C30、电容C32、电容C33、电容C38 电容~

C41均为10nF，电容C3～电容C7、电容C17、电容C21均为100nF，电容C12为100nF/200V涤纶电容，电容C20为100pF，电容C13为10nF/150V涤纶电容，电容C15、电容C19均为10pF，电容C18为4.7uF，电容C8为1nF，电容C9、电容C16、电容C28均为1uF，电容C10、电容C11均为470uF/

200V涤纶电容，电容C14为4.7nF/150V涤纶电容，电容C22、电容C23、电容C25、电容C26均为

47nF，电容C24为330nF，电容C27为470uF，电容C29为39nF，电容C31为220nF，电容C34、电容C37为10uF，电容C35为3.3uF，电容C36为470nF，肖特基二极管D1的型号为SB5200，二极管D2、二极管D3、二极管D8的型号均为1N4148，肖特基二极管D4～肖特基二极管D7的型号均为

1N5817，稳压二极管D10型号为稳压值2.5V，N沟道场效应管Q3 N沟道场效应管Q6、N沟道场~

效应管Q8、N沟道场效应管Q10型号均为2SK1482，P沟道场效应管Q7、P沟道场效应管Q9型号均为2SJ507，电阻R1为0.3Ω，电阻R2～电阻R4均为100Ω，电阻R14、电阻R20、电阻R22、电阻R24、电阻R26、电阻R29、电阻R30、电阻R32、电阻R34、电阻R36、电阻R38均为10kΩ，电阻R7、电阻R10、电阻R31、电阻R33、电阻R35、电阻R37、电阻R39、电阻R46均为1kΩ，电阻R5为10kΩ精密电阻，电阻R15、电阻R18、电阻R48均为20kΩ，电阻R19、电阻R21、电阻R23、电阻R25、电阻R27、电阻R28均为300Ω，电阻R13为400Ω，电阻R11、电阻R12、电阻R16、电阻R8、电阻R9、电阻R44、电阻R45均为5.1kΩ，电阻R17为51kΩ，电阻R6为9.1kΩ精密电阻，电阻R42为1MΩ，电阻R49为6.5kΩ，电阻R51为15kΩ，电阻R50为4.5kΩ，电阻R54为6kΩ，电阻R52为3kΩ，电阻R53为1.8kΩ，电阻R47为2kΩ，电阻R55为10MΩ，电阻R56、电阻R59均为125kΩ，电阻R57为600Ω，电阻R58为470kΩ，电阻R60为560Ω，电阻R61为430kΩ，电位器W1为10kΩ，电位器W2为1kΩ，电阻RS1为0.03Ω，电阻Rs2为0.3Ω，电位器W3为20kΩ，运放U9A、运放U12A和运放U12B型号均为TLC2252，反相施密特触发器U11A～反相施密特触发器U11E型号均为SN7414N，运放U14A和运放U14B型号均为AD826，运放U16A、运放U16B、运放U18A、运放U18B型号均为AD822，D触发器U5A型号为74S74，脉冲变压器T1的型号为PA2547NL，继电器K1和继电器K2的型号均为HRS4H‑S‑DC12V。