1.一种光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述光刻胶缺陷改善装置包括：反应腔室；

固定在所述反应腔室内的基板，所述基板上用于涂布光刻胶；

固定在所述反应腔室内的吸附板，所述吸附板用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒。

2.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述吸附板设置在所述光刻胶的正上方区域。

3.根据权利要求2所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上，

所述吸附板的正投影区域大于所述光刻胶涂布面积的正投影区域。

4.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述吸附板的熔点大于所述烘烤过程中的最高烘烤温度。

5.根据权利要求4所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述吸附板的熔点为95℃‑105℃。

6.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述吸附板采用激光焊接的方式固定在所述反应腔室内。

7.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述吸附板采用胶粘结的方式固定在所述反应腔室内。

8.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述光刻胶缺陷改善装置还包括：

加热装置；

所述加热装置用于对涂布有所述光刻胶的基板进行加热处理。

9.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述光刻胶改善装置还包括：

冷却装置；

所述冷却装置用于对涂布有所述光刻胶的基板进行冷却处理。

10.根据权利要求1所述的光刻胶缺陷改善装置，其特征在于，所述光刻胶缺陷改善装置还包括：

清洗装置；

所述清洗装置用于定期对所述反应腔室和/或所述吸附板进行清洗。