1.一种背结晶硅电池，其特征在于，包括：P型硅片，正面钝化减反层、铝电极、透明导电层以及正面电极；其中，

所述正面钝化减反层层叠在所述P型硅片的正面，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述铝电极在所述正面钝化减反层上呈均匀点状分布，所述透明导电层覆盖于所述铝电极上方，所述正面电极形成于所述透明导电层上方并通过所述透明导电层与所述铝电极进行电荷传输。

2.根据权利要求1所述的背结晶硅电池，其特征在于，在所述P型硅片与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的表面场。

3.根据权利要求2所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括氮化硅减反层和氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层层叠于所述P型硅片的正面，所述氮化硅减反层层叠于所述氧化铝钝化层上。

4.根据权利要求3所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述透明导电层为透明导电氧化物。

5.根据权利要求1‑4中任一项所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背结晶硅电池还包括位于所述P型硅片背面的背面钝化接触层、背面介质保护层和背面电极，其中，所述背面钝化接触层层叠于所述P型硅片的背面，所述背面介质保护层层叠在所述背面钝化接触层，所述背面电极形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触。

6.根据权利要求5所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面钝化接触层包括隧穿氧化硅层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化硅层层叠于所述P型硅片的背面，所述N型多晶硅层层叠于所述隧穿氧化硅层上。

7.根据权利要求6所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面介质保护层为氮化硅层。

8.根据权利要求5所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面电极和所述背面电极的材料为银、铜、镍、钴中的一种或者多种。

9.根据权利要求8所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面电极和所述背面电极为银电极。