1.一种背结晶硅电池，其特征在于，包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，

所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。

2.根据权利要求1所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背结晶硅电池还包括正面隧穿钝化层，所述正面隧穿钝化层层叠在所述P型硅片的正面与所述空穴选择性接触层之间。

3.根据权利要求2所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面隧穿钝化层为氧化硅层或本征非晶硅层。

4.根据权利要求3所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面隧穿钝化层的厚度为

0.5纳米～2.5纳米。

5.根据权利要求1所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述空穴选择性接触层的材料为氧化钼、氧化钨和氧化钒中的一种或多种。

6.根据权利要求1‑5中任一项所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括氮化硅减反层和氧化铝钝化层。

7.根据权利要求6所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背结晶硅电池还包括形成在所述P型硅片的背面的背面钝化接触层、背面电极和背面介质保护层，其中，所述背面钝化接触层层叠在所述P型硅片的背面上，所述背面介质保护层层叠在所述背面钝化接触层上，所述背面电极形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触。

8.根据权利要求7所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面钝化接触层包括隧穿氧化硅层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化硅层层叠在所述P型硅片的背面上，所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化硅层上并与所述背面电极接触。

9.根据权利要求8所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面介质保护层为氮化硅层。

10.根据权利要求9所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面电极和所述背面电极为银电极。