1.一种背结晶硅电池，其特征在于，包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线；其中，

所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上，所述正面金属栅线为周期性的分段结构，单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极，其中，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。

2.根据权利要求1所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述P型硅片与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的表面场。

3.根据权利要求2所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面银电极的宽度窄于所述铝电极的宽度。

4.根据权利要求3所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背结晶硅电池包括覆盖电池整个正表面的多条相互平行的正面金属栅线。

5.根据权利要求4所述的背结晶硅电池，其特征在于，相邻两条正面金属栅线的所述铝电极和所述正面银电极交错分布。

6.根据权利要求1‑5中任一项所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括氮化硅层和氧化铝层，其中，所述氧化铝层层叠在所述P型硅片的正面上，所述氮化硅层层叠在所述氧化铝层上。

7.根据权利要求1‑5中任一项所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背结晶硅电池还包括位于所述P型硅片的背面的背面钝化接触层、背面银电极和背面介质保护层，其中，所述背面钝化接触层层叠在所述P型硅片的背面上，所述背面介质保护层层叠在所述背面钝化接触层上，所述背面银电极形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触。

8.根据权利要求7所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面钝化接触层包括隧穿氧化硅层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化硅层层叠在所述P型硅片的背面上，所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化硅层上并与所述背面银电极接触。

9.根据权利要求8所述的背结晶硅电池，其特征在于，所述背面介质保护层为氮化硅层。