1.一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于，包括电路板(1)、多组芯片(2)、多组绝缘组件以及多组封装组件，多组芯片(2)均匀分布在电路板(1)上表面，多组所述封装组件对应安装在电路板(1)上表面，且所述封装组件与芯片(2)对应拼接，多组所述绝缘组件对应安装在封装组件上。

2.根据权利要求1所述的一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于：所述电路板(1)上表面一侧安装有电源接头，所述电路板(1)上表面覆盖设有一号绝缘层(3)，且所述一号绝缘层(3)将芯片(2)与电路板(1)分割。

3.根据权利要求1所述的一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于：所述芯片(2)下表面对应安装有连接柱(4)，且所述连接柱(4)穿过一号绝缘层(3)与电路板(1)电性连接。

4.根据权利要求1所述的一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于：所述封装组件包括两组定位板(5)、两组滑轨(6)、两组延伸条(7)、两组螺纹孔(8)以及两组定位螺栓(9)，两组所述定位板(5)平行安装在电路板(1)上表面，所述滑轨(6)平行开设在定位板(5)内侧两端，所述延伸条(7)平行安装在芯片(2)侧壁两端，所述螺纹孔(8)对应开设在芯片(2)两侧壁两端，所述定位螺栓(9)穿过定位板(5)与螺纹孔(8)对应锁合固定。

5.根据权利要求4所述的一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于：所述延伸条(7)滑动安装在滑轨(6)内，且所述延伸条(7)与滑轨(6)对应卡合连接。

6.根据权利要求1所述的一种用于极紫外GaN基半导体UV‑LED芯片的绝缘结构，其特征在于：所述绝缘组件包括二号绝缘层(10)、三号绝缘层(11)，所述二号绝缘层(10)、三号绝缘层(11)对应嵌设在定位板(5)内壁，所述二号绝缘层(10)、三号绝缘层(11)与芯片(2)侧壁贴合，且所述二号绝缘层(10)、三号绝缘层(11)与一号绝缘层(3)对芯片(2)形成包围状结构。