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专利号: 202122065744X
申请人: 董淑琼
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2023-10-12
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种传感器单晶硅刻蚀设备,包括反应箱(1),其特征在于:所述反应箱(1)的底部两侧固定有底座(2),所述反应箱(1)的底部中间安装有电机(3),所述电机(3)的输出端连接有贯穿至反应箱(1)内部的转轴(4),所述转轴(4)的外表面套接有多个片板(5),多个所述片板(5)的顶部安装有拆卸网板(14),多个所述片板(5)之间固定有环形板(6),所述反应箱(1)的内部自上而下均开设有环形槽(13),所述反应箱(1)的两侧自上而下均安装有环形托架(7),多个所述环形托架(7)的顶部均安装有电磁线圈(8),所述反应箱(1)的顶部贯穿有多个分流管(10),多个所述分流管(10)的外表面均开设有喷气孔(12),多个所述分流管(10)的顶端均贯穿至反应箱(1)的顶部并连接有进气管(11),所述反应箱(1)的底部一侧贯穿有出气管(9)。

2.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀设备,其特征在于:多个所述片板(5)共八个,分为四组,每组所述片板(5)的四周均通过环形板(6)与环形槽(13)滑动连接。

3.根据权利要求2所述的一种传感器单晶硅刻蚀设备,其特征在于:多个所述片板(5)均为网状结构,每组所述片板(5)之间的间距为10‑15cm。

4.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀设备,其特征在于:多个所述分流管(10)的底端等距分布于片板(5)的上方。

5.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀设备,其特征在于:所述进气管(11)和出气管(9)的直径相同,且所述进气管(11)和出气管(9)均采用PVC材料制作而成。