1.一种抗噪效果好的半导体芯片，包括芯片本体(1)，其特征在于：所述芯片本体(1)包括有第一性能层(2)、基层(3)和第二性能层(4)，所述第一性能层(2)的底部与基层(3)的顶部设置，所述基层(3)的底部与第二性能层(4)的顶部设置，所述第一性能层(2)包括有电镀层(201)、隔音层(202)和耐高温层(203)，所述电镀层(201)的底部与隔音层(202)的顶部设置，所述隔音层(202)的底部与耐高温层(203)的顶部设置，所述第二性能层(4)包括有防水层(401)、降噪层(402)和耐磨层(403)，所述防水层(401)的底部与降噪层(402)的顶部设置，所述降噪层(402)的底部与耐磨层(403)的顶部设置。

2.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述电镀层(201)是由一种纳米锌合金材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述隔音层(202)是由一种聚氨酯材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述耐高温层(203)是由一种氧化铝陶瓷材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述防水层(401)的表面涂抹有防水涂料。

6.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述降噪层(402)是由一种石棉绒‑泡沫铝镁复合材料制成。

7.根据权利要求1所述的一种抗噪效果好的半导体芯片，其特征在于：所述耐磨层(403)是由一种聚氨酯材料制成。