1.一种抗摔型半导体芯片，包括半导体芯片本体(1)，其特征在于：所述半导体芯片本体(1)包括有第一性能层(2)和第二性能层(3)，所述第一性能层(2)的底部与第二性能层(3)的顶部设置，所述第一性能层(2)包括有抗氧化层(201)、第一抗摔层(202)和散热层(203)，所述抗氧化层(201)的底部与第一抗摔层(202)的顶部设置，所述第一抗摔层(202)的底部与散热层(203)的顶部设置，所述第二性能层(3)包括有耐高温层(301)、第二抗摔层(302)和防水层(303)，所述耐高温层(301)的底部与第二抗摔层(302)的顶部设置，所述第二抗摔层(302)的底部与防水层(303)的顶部设置。

2.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述抗氧化层(201)是由一种石磨抗氧化涂料制成。

3.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述第一抗摔层(202)是由一种聚碳酸酯材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述散热层(203)是由一种石墨烯材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述耐高温层(301)是由一种陶瓷纤维材料制成。

6.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述第二抗摔层(302)是由一种聚四氟乙烯材料制成。

7.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片，其特征在于：所述防水层(303)是由一种聚氨酯防水涂料制成。