1.一种高功率密度LLC变换器拓扑电路，其特征在于：包含三相整流电路、Buck PFC电路和半桥LLC谐振电路；

三相整流电路包含三相交流电源VA端、三相交流电源VB端、三相交流电源VC端、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6；

Buck PFC电路包含第一NMOS晶体管Q1、电感L、第七二极管D7、第八二极管D8、第二电容C4，

半桥LLC谐振电路包含第二NMOS晶体管Q2、第三NMOS晶体管Q3、第九二极管D9、第十二极管D10、电感Lr、第五电容C5、第6电容C6、电容Cr、电感Lm、变压器T、二极管DR1、二极管DR2、电感Lo、电容Co、电阻R；

其中，三相交流电源VA端分别连接第一电容C1的一端、第二电容C2的一端、第一二极管D1的阳极、第四二极管D4的阴极，三相交流电源VB端分别连接第一电容C1的另一端、第三电容C3的一端、第二二极管D2的阳极、第五二极管D5的阴极，三相交流电源VC端分别连接第二电容C2的另一端、第三电容C3的另一端、第三二极管D3的阳极、第六二极管D6的阴极，第一二极管D1的阴极分别连接第二二极管D2的阴极、第三二极管D3的阴极、第七二极管D7的阴极和第一NMOS晶体管Q1的D极，第四二极管D4的阳极分别连接第五二极管D5的阳极、第六二极管D6的阳极、第八二极管D8的阳极、第二电容C4的一端、第三NMOS晶体管Q3的S极、电感Lm的一端、变压器T的接口1，第七二极管D7的阳极分别连接第一NMOS晶体管Q1的S极、第八二极管D8的阴极、电感L的一端，电感L的另一端分别连接第四电容C4的另一端、第二NMOS晶体管Q2的D极、第九二极管D9的阴极和第五电容C5的一端，第五电容C5的另一端分别连接第九二极管D9的阳极、第二NMOS晶体管Q2的S极、电感Lr的一端、第三NMOS晶体管Q3的D极、第十二极管的阴极、第六电容C6的一端，第六电容C6的另一端分别连接第十二极管D10的阳极和第三NMOS晶体管Q3的S极，电感Lr的另一端分别连接电感Lm的另一端、变压器T的接口2，变压器的T的接口3连接二极管DR1的阳极，二极管DR1的阴极分别连接二极管DR2的阴极和电感Lo的一端，电感Lo的另一端分别连接电容Co的一端和电阻R的一端，电阻R的另一端分别连接电容Co的另一端和变压器T的接口4，二极管DR2的阳极连接变压器T的接口5。

2.根据权利要求1所述的一种高功率密度LLC变换器拓扑电路，其特征在于：所述电感Lr为谐振电感。

3.根据权利要求1所述的一种高功率密度LLC变换器拓扑电路，其特征在于：所述电容Cr为谐振电容。