1.一种可控硅输出控制烤箱温度电路，其特征在于：该可控硅输出控制烤箱温度电路包括：

供电模块，用于为加热模块供给220V交流电；

主控控制模块，用于控制大电流保护模块导通；

低压保护模块，用于在供电模块供给电压低于下限阈值时断开电路；

大电流保护模块，用于在发热板流过电流高于12V时回路阻值上升；

加热模块，用于发热板工作加热；

供电模块连接加热模块、低压保护模块，低压保护模块连接加热模块，大电流保护模块连接加热模块，主控控制模块连接大电流保护模块。

2.根据权利要求1所述的可控硅输出控制烤箱温度电路，其特征在于，主控控制模块包括集成电路U1，集成电路U1的型号为89C52，集成电路U1的33号引脚连接大电流保护模块。

3.根据权利要求1所述的可控硅输出控制烤箱温度电路，其特征在于，大电流保护模块包括电阻R1、光耦U2、电阻R2、双向可控硅Q1、电阻R3，电阻R1的一端连接主控控制模块，电阻R1的另一端连接光耦U1的2号引脚，光耦U2的1号引脚连接5V电压，光耦U2的6号引脚通过电阻R2连接双向可控硅Q1的第一端，双向可控硅的第二端连接加热模块，双向可控硅的第三端连接电阻R3、光耦U2的4号引脚，光耦U2的型号为M0C3052，电阻R3为热敏电阻。

4.根据权利要求1所述的可控硅输出控制烤箱温度电路，其特征在于，低压保护模块包括电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、放大器U1、电阻R8、二极管D2，电阻R4的一端连接火线L，电阻R5的一端连接零线N，电阻R4的另一端连接电阻R5的另一端、电阻R6、电容C1，电容C1的另一端接地，电阻R6的另一端连接电容C2、电阻R7，电容C2的另一端接地，电阻R7的另一端连接放大器U1的同相端，放大器U1的反相端连接24V电压，放大器U1的输出端连接电阻R8，电阻R8的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接加热模块。

5.根据权利要求3所述的可控硅输出控制烤箱温度电路，其特征在于，加热模块包括可控硅D1、加热板X，加热板X的一端连接大电流保护模块，加热板X的另一端连接可控硅D1的负极，可控硅D1的正极连接供电模块，可控硅D1的控制极连接低压保护模块。