1.一种晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在磁场存在条件下，在陶瓷生坯上直接通电，然后开始升温直至陶瓷坯体中通过的电流增大至设定值时，在该设定值条件下保持一定时间制备所述晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料；所述磁场方向与陶瓷坯体内的电流方向不平行；所制备陶瓷材料的晶粒尺寸沿着所施加电流的正极至负极方向逐渐变大。

2.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述陶瓷生坯选自氧化锆陶瓷生坯。

3.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述磁场方向与陶瓷坯体内的电流方向垂直或夹角大于0小于90°。

4.权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述通电的电场强度为100～5000V/cm。

5.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述磁场大小为0.1～3.0T。

6.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，从室温开始升温，直到温度为300～1200℃，升温速率为1～50℃/min。

7.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，陶瓷坯

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体中通过电流密度的设定值为1A/cm～100A/cm ，其中cm为陶瓷坯体的垂直于电流方向的横截面积。

8.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，保持的时间为1～10h。

9.如权利要求1所述的晶粒尺寸呈梯度分布陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所制备陶瓷材料的维氏硬度大于13GPa。