1.一种透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）将玻璃基片放入氢氟酸溶液中进行腐蚀；

（2）将步骤（1）中所腐蚀的玻璃基片清洗干净后放入氢氧化钠溶液中进行腐蚀；

（3）将步骤（2）中所腐蚀的玻璃清洗干燥后，采用等离子体增强化学气相沉积技术依次以甲烷、氢气与硅烷混合气为工作气体在其表面制备碳化硅薄膜；

（4）采用等离子体增强化学气相沉积技术依次以甲烷、四氟化碳、氧气为工作气体对步骤（3）中所制备的碳化硅薄膜实施等离子体处理，得到透明超疏水玻璃。

2.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（1）中氢氟酸溶液的体积浓度为3%‑7%，腐蚀温度为30℃‑50℃，腐蚀时间为5‑15分钟。

3.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（2）中氢氧化钠溶液质量浓度为3%‑5%，腐蚀温度为30℃‑50℃，腐蚀时间为5‑15分钟。

4.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（3）中甲烷的纯度为99.999%及以上；

氢气与硅烷混合气中，氢气与硅烷的体积比为8‑15：85‑92。

5.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（3）中PECVD制备碳化硅薄膜参数为：射频功率100～150W，射频频率13.56MHz，基片温度200～250℃，腔体压强80～120Pa，通入高纯甲烷气体流量30～50sccm，通入硅烷混合气的气体流量15～

25sccm，薄膜制备时间50～75分钟。

6.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（4）中高纯甲烷、四氟化碳和氧气的纯度均为99.999%及以上。

7.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（4）中PECVD等离子体处理参数为：射频功率300～400W，射频频率13.56MHz，基片温度200～250℃，腔体压强50～70Pa，通入高纯甲烷气体流量30～40sccm，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，通入高纯氧气气体流量5～10sccm，等离子体刻蚀时间10～20分钟。