1.一种在非晶碳基体中生长限域型N掺杂Fe纳米颗粒的方法，包括以下步骤：用银胶将铁靶与碳靶表面粘结，形成两种材料的复合靶材，在真空条件下用激光烧蚀所述复合靶材，使碳和铁沉积在玻碳片基底上；沉积后，在惰性气体保护下，在500 700℃下~退火，得到限域型Fe纳米颗粒；

将所述限域型Fe纳米颗粒放入射频等离子体化学气相沉积系统的反应器中，在N2氛围下处理，即得到限域型N掺杂Fe纳米颗粒。

‑8

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空条件的真空度为1 5×10  Torr，~所述激光的波长为248 nm，沉积时间为5 10分钟。

~

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为玻碳片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的时间为5 10分钟。

~

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述射频等离子体的功率为100W，处理时间为2 10分钟。

~

7.根据权利要求1所述的限域型N掺杂Fe纳米颗粒作为OER电催化剂的应用。