1.一种反型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，该反型钙钛矿太阳能电池包括自下而上依次设置的ITO导电玻璃、CuInS2空穴传输层、NaYF4修饰层、钙钛矿吸收层、PCBM电子传输层和Ag电极。

2.如权利要求1所述的反型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述NaYF4修饰层经下述方法制备获得：将NaYF4纳米晶的氯苯分散液旋涂在CuInS2空穴传输层上，即得。

3.如权利要求2所述的反型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述NaYF4纳米晶经下述方法制备获得：三颈瓶中加入0.18‑0.20g YCl3、13‑18ml十八烯和6‑8 ml的油酸，在氮气保护下搅拌均匀，然后加入含有0.1‑0.2g NaOH、0.1‑0.2g NH4F和8‑15 ml甲醇的混合溶液，升温至70‑90℃，待甲醇挥发完毕，温度升高至250‑270℃并保温反应1‑2h，降至室温，洗涤，获得NaYF4纳米晶；将NaYF4纳米晶分散在氯苯中，备用。

4.权利要求1至3任一所述的反型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将含60‑80mg/ml CuInS2量子点的氯苯分散液旋涂在洁净、干燥的ITO导电玻璃上，于

90‑110℃的加热板上加热3‑8 min，获得CuInS2空穴传输层；

2）将含1‑5mg/ml NaYF4纳米晶的氯苯分散液旋涂在CuInS2空穴传输层上，获得NaYF4修饰层；

3）将PbI2溶液旋涂在NaYF4修饰层上，于60‑80℃的加热板上加热1‑3 min，获得PbI2薄膜；将钙钛矿前驱体溶液旋涂在PbI2薄膜上，于140‑160℃的加热板上加热10‑20 min，获得钙钛矿吸收层；

4）将含10‑20 mg/ml PCBM的氯苯溶液旋涂在钙钛矿吸收层上，获得PCBM电子传输层；

5）在PCBM电子传输层上真空蒸镀一层厚度70‑120 nm的Ag电极，即得。

5.如权利要求4所述反型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3）中，PbI2溶液浓度为1‑2 M，PbI2溶液是将PbI2粉末溶解在体积比95:5的DMF和DMSO混合溶液中获得。

6.如权利要求4所述反型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3）中，钙钛矿前驱体溶液是将100‑140mg碘甲脒、10‑14mg溴甲胺和10‑14 mg氯甲胺溶于1.6‑2.4ml异丙醇中获得。

7.采用权利要求4至6任一所述制备方法制备获得的反型钙钛矿太阳能电池。