1.自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，包括光泵浦和微柱腔，其特征在于，所述光泵浦为微盘腔，该微盘腔和所述微柱腔分立于同一下电极(11)、衬底(10)、缓冲层(9)上，所述微盘腔、微柱腔具有相同外延结构；所述相同外延结构是指，自下而上均依次是下分布布拉格反射镜(8)、下波导层(7)、量子点有源增益层(6)、上波导层(5)、氧化物限制层(4)、上分布布拉格反射镜(3)、覆盖层(2)、电极金属层(1)；所述微盘腔为非对称微盘腔，出光方向朝向微柱腔；所述微柱腔的侧面朝向微盘腔的部分开有凹槽(12)，在微柱腔的电极金属层(1)的中心部分开有半径为0.5μm～5.0μm出光口(13)，微柱腔的半径为8μm～20μm；在垂直方向上，光泵浦的几何轴线与微柱腔的几何轴线平行且相距200μm～500μm。

2.根据权利要求1所述的自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，其特征在于，所述非对称微盘腔为蜗线形非对称微盘腔、螺线形非对称微盘腔、椭圆形非对称微盘腔之一。

3.根据权利要求2所述的自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，其特征在于，所述蜗线形非对称微盘腔的蜗线极坐标方程为ρ(θ)＝ρ0(1+εcosθ)，所述螺线形非对称微盘腔的螺线极坐标方程为 的螺线形微盘腔，式中：ρ(θ)为极径，θ为极角，ε为形变因子，且ε＝0.1～2，ρ0为特征半径，也就是当蜗线的极角θ＝π/2时、螺线的极角θ＝0°时的极半径，且ρ0＝90μm～180μm。

4.根据权利要求1所述的自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，其特征在于，所述微柱腔的侧面朝向微盘腔的部分开有的凹槽(12)为单凹柱面形凹槽、单凹梯柱面形凹槽、三凹圆柱面形凹槽之一。

5.根据权利要求4所述的自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，其特征在于，当所述凹槽(12)为单凹柱面形凹槽时，柱面弦长为6μm～18μm、柱面半径为8μm～20μm；当所述凹槽(12)为单凹梯柱面形凹槽时，梯形下底长为6μm～18μm、高为4μm～8μm、上底长为4μm～12μm；当所述凹槽(12)为三凹圆柱面形凹槽时，三个圆柱面的弦长和为6μm～18μm、柱面半径为

1μm～3μm。

6.根据权利要求1所述的自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源，其特征在于，所述自带非对称微盘腔光泵浦的单光子源的制作过程为：采用半导体外延生长工艺，在材料为高掺杂浓度N型GaAs的衬底(10)上依次生长材料为N型GaAs的缓冲层(9)、材料为N型Al0.1Ga0.9As/Al0.8Ga0.2As的下分布布拉格反射镜(8)、材料为N型Al0.5GaAs的下波导层(7)、材料为InAs/GaAs量子点有源增益层(6)、材料为P型Al0.5GaAs的上波导层(5)、材料为P型Al0.1Ga0.9As/Al0.8Ga0.2As的上分布布拉格反射镜(3)、材料为P型GaAs的覆盖层(2)；按照非对称微盘腔的形状和位置，以及开有凹槽(12)的微柱腔的形状和位置制作掩模版，然后采用半导体刻蚀工艺将外延结构刻蚀到缓冲层(9)，同步得到非对称微盘腔和开有凹槽(12)的微柱腔；采用半导体湿法氧化工艺，形成Al2O3氧化物限制层(4)；在覆盖层(2)上制作材料为Au/Ge/Ni的电极金属层(1)，在衬底(10)底面制作材料为Ti/Pt/Au的下电极(11)，电极金属层(1)、下电极(11)均为先分层制作再合金化处理而成；最后在微柱腔的电极金属层(1)的中心部分开出出光口(13)。