1.一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，该SOI LDMOS器件包括埋氧层(2)、漂移区(3)和浅槽隔离氧化层(9)，其特征在于基于该SOI LDMOS器件，增加P保护区‑ ‑(14)、P柱区(15)和N扩展层(16)，从而提高器件的抗总剂量性能；

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通过外延方法在埋氧层(2)的界面生长一层薄的N型轻掺杂扩展层，即为N扩展层(16)；

通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层(9)的下表面的拐角处形成一个P型掺杂层，即为P保护区(14)；

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通过高能离子注入方法在漂移区(3)形成一个P型低掺杂柱状区域，即P柱区(15)，该P柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口；

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所述N 扩展层(16)掺杂浓度需低于漂移区(3)的浓度，厚度为漂移区(3)厚度的十分之一至五分之一之间。

2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，其特征在‑于该N扩展层(16)可吸取因辐照在埋氧层(2)引入固定正电荷镜像产生的电子。

3.根据权利要求2所述的一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，其特征在于该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，其特征在于所述P保护区(14)需覆盖浅槽隔离氧化层(9)界面下方体硅结构中的高电场区域。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，其‑特征在于P保护区(14)的掺杂浓度高于P柱区(15)。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构，其‑ ‑特征在于所述P柱区(15)的掺杂浓度高于N漂移区。