1.一种SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极，其特征在于：所述SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极是以透明PET为衬底，从下往上依次是SiO2层，Au层，SrTiO3层；

所述SiO2层的厚度为50nm～300nm；

所述Au层的厚度为9nm～18nm；

所述SrTiO3层的厚度为10nm～60nm；

所述SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的方块电阻为6.7～52.7Ω/□，在550nm处的透光率为73.2％～83.8％。

2.一种如权利要求1所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于：(1)、分别用无水乙醇和去离子水超声清洗PET衬底各30分钟，再用高纯氮气把PET衬底吹干，把吹干后的PET衬底放入磁控溅射腔体中；

(2)、将SiO2靶材、Au靶材与SrTiO3靶材一起装入磁控溅射腔体内；

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(3)、将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10 Pa以下，通入高纯氩气和高纯氧气的混合气体，溅射总气压调节为0.3～10Pa，固定靶和衬底的距离为40mm～120mm，溅射功率为

20～150W，对SiO2靶材进行射频溅射，在PET衬底表面沉积得到SiO2层；

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(4)、将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10 Pa以下，然后通入0.3～10Pa的高纯氩气，固定靶和衬底的距离为40mm～120mm，溅射功率为20～100W，对Au靶材进行射频溅射，在SiO2层表面沉积得到Au层；

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(5)、将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10 Pa以下，通入高纯氩气和高纯氧气的混合气体，溅射总气压调节为0.5～10Pa，固定靶和衬底的距离为40mm～120mm，溅射功率为

20～150W，对SrTiO3靶材进行射频溅射，在Au层表面沉积得到SrTiO3层；最终得到所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极。

3.如权利要求2所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述SiO2靶材、Au靶材与SrTiO3靶材可以为任意市售或者自制靶材。

4.如权利要求2所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于所述的高纯氮气、高纯氩气和高纯氧气的纯度均为99.99％以上。

5.如权利要求2所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述高纯氧气和高纯氩气的体积比为(0～1):2。

6.如权利要求2所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于步骤(5)中所述高纯氧气和高纯氩气的体积比为(0～1):3。

7.如权利要求2所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极的制备方法，其特征在于所述SiO2层、Au层和SrTiO3层的厚度通过调节磁控溅射系统的本底真空度，溅射总气压，固定靶与衬底的距离，溅射功率或沉积时间来控制。

8.一种如权利要求1所述的SrTiO3/Au/SiO2结构柔性透明电极在柔性电子器件领域的应用。