1.一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）SiC内涂层的制备：将C/C复合材料包埋于一次包埋粉料中，一次包埋粉料包括Si粉、C粉和B2O3，并升温至1800℃~2500℃，保温2~5h；再将一次包埋处理后的C/C复合材料取出包埋于二次包埋粉料中，二次包埋粉料包括Si粉和C粉，并升温至1800℃ 2500℃，保温2 5h，~ ~即在C/C复合材料表面制得SiC内涂层，得到C/C–SiC基体；

2）B2O3@SiO2核壳粉体的制备：

1）将0.5g~3g的B2O3颗粒、10mL~100mL的蒸馏水和100mL~800mL的无水乙醇混合搅拌，得到溶液A；

2）向溶液A中逐滴加入3mL 8mL的氨水并搅拌，得到溶液B；

~

3）向溶液B中加入1mL~8mL的TEOS，并搅拌反应，得到B2O3@Si(OH)4悬浮液；

4）对B2O3@Si(OH)4悬浮液进行离心分离，并洗涤干燥，得到B2O3@Si(OH)4粉体；

5）将B2O3@Si(OH)4粉体在200℃~350℃下煅烧2~8h，得到B2O3@SiO2核壳粉体；

3）B2O3@SiO2核壳外涂层制备：

1）将蒸馏水、硅溶胶和B2O3@SiO2核壳粉体混合，配制成热浸渍料浆；

2）将C/C–SiC基体加热后浸入热浸渍料浆中，浸渍后取出清洗；

3）重复步骤3.2）多次后，在C/C–SiC基体表面得到B2O3@SiO2核壳外涂层。

2.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤1）中一次包埋粉料包括质量分数为50% 80%的Si粉、10% 40%的C粉和~ ~

5%~20%的B2O3。

3.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤1）中二次包埋粉料包括质量分数为60% 85%的Si粉和15% 40%的C粉。

~ ~

4.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤2.1）中搅拌是在200 500rpm下室温搅拌0.5 3h；所述步骤2.2）中搅~ ~拌是在200 500rpm下室温搅拌1 3h；所述步骤2.3）中搅拌是在200 500rpm下室温搅拌反应~ ~ ~

5 20h。

~

5.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤2.4）中对产物依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤多次，并在60 100℃干~燥12 24h。

~

6.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤3.1）中将蒸馏水和硅溶胶按照1:1~5:1的体积比混合，再加入B2O3@SiO2核壳粉体。

7.根据权利要求6所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤3.1）中配制成B2O3@SiO2核壳粉体浓度为c=1.0~5.0g/mL的热浸渍料浆。

8.根据权利要求1所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤3.2）中将C/C–SiC基体加热5 30min，直至表面加热至80 220℃，加热~ ~后的C/C–SiC基体浸入热浸渍料浆中8 30s，浸渍后的C/C–SiC基体在无水乙醇中超声清洗1~

2min。

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9.根据权利要求8所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法，其特征在于，所述步骤3.3）中重复步骤3.2）的次数为30 60次。

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10.一种复合涂层，其特征在于，采用权利要求1至9中任一项所述的一种在C/C复合材料表面制备B2O3@SiO2核壳‑SiC涂层的方法制备得到，包括在C/C复合材料表面包埋制备的SiC内涂层，以及在SiC内涂层表面热浸渍制备的B2O3@SiO2核壳外涂层，所述涂层在1173K的空气中氧化130h失重率为1.05%。