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专利号: 2022103502466
申请人: 潮州市艺锋陶瓷有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-05-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.片层自组装结构二硫化钒@四硫化钒纳米材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

1)制备VS2纳米片;

2)将NH4VO3与聚醚F127在热水浴条件下分散在水中,剧烈搅拌,制得A液;

3)将硫代乙酰胺与VS2纳米片在热水浴条件下分散在乙二醇中,搅拌,制得B液;

4)将B液转移到A液中,在热水浴条件下,剧烈搅拌,将混合溶液转移到反应釜中进行水热反应,反应结束,洗涤干燥,制得片层自组装结构VS2@VS4纳米材料;

步骤3)中,所述VS2纳米片和乙二醇的用量比为0.06‑0.12mol/L;

步骤4)中,所述剧烈搅拌是指磁力搅拌,搅拌速度为600‑800rpm,时间为1‑3h;所述水热反应,温度为160‑180℃,反应时间为12‑24h。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述制备VS2纳米片的制备方法为:

1‑1)将NH4VO3热水浴下分散于水中,剧烈搅拌,形成溶液;

1‑2)将硫代乙酰胺加入步骤1‑1)制备的溶液中,搅拌形成混合溶液,将浓氨水转移加入混合溶液中,剧烈搅拌,再将混合溶液转移到反应釜中进行水热反应,反应结束,洗涤、干燥,制得玫瑰状VS2纳米片。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1‑1)中,所述NH4VO3和水的用量比为0.1‑0.2mol/L。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1‑2)中,所述硫代乙酰胺和步骤

1‑1)制备的溶液的用量比为0.5‑1.0mol/L。

5.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,步骤1‑2)中,所述水热反应温度为

180‑200℃,反应时间为8‑12h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,所述NH4VO3和水的用量比为

0.1‑0.2mol/L;所述聚醚F127与水的用量比为0.015‑0.02g/mL。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述硫代乙酰胺与乙二醇的用量比为1.5‑2.0mol/L;所述VS2纳米片和乙二醇的用量比为0.06‑0.12mol/L。

8.一种权利要求1‑7任一项所述制备方法制备的片层自组装结构二硫化钒@四硫化钒纳米材料。

9.倍率性能优异可充电电池,其特征在于,采用权利要求1‑7任一项所述制备方法制备的片层自组装结构VS2@VS4纳米材料作为活性物质制备的可充电电池。