1.一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，其特征在于，所述光催化剂中SnSe2原位生长是在富S缺陷ZnIn2S4表面，二者通过Sn‑S化学键结合，其制备方法如下：称取0.0089g SnCl4·5H2O加入20mL去离子水中，再向其中加入100mg自制的富S缺陷ZnIn2S4，超声1小时分散；同时，称取0.008g Se粉加入到2.5mL水合肼中，80℃水浴溶解；之后，将Se的水合肼溶液加入到上述含有富S缺陷ZnIn2S4和SnCl4·5H2O的混合液中混合并搅拌30分钟；最后，将混合液转移至聚四氟乙烯反应釜中在180℃烘箱中保温5h，冷却至室温后，离心分离、去离子水和乙醇依次洗涤沉淀，最后在60℃真空干燥，得富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化‑1 ‑1剂，其在可见光照射下，分解水制氢速率达29.34mmol·g ·h ，且在重复使用6次后，产氢速率仅下降了4.2％。

2.如权利要求1中所述的一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，其特征在于，富S缺陷ZnIn2S4与SnSe2之间的欧姆接触及内建电场促进富S缺陷ZnIn2S4导带上的光生电子转移到SnSe2上，显著提高了富S缺陷ZnIn2S4上光生电荷载流子的分离效率。