1.一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

(1)制备金属化卟啉配体；

(2)对生长基底进行功能化修饰，然后在生长基底表面交替沉积金属盐溶液和金属化卟啉配体溶液的雾滴，通过配位作用在所述生长基底表面生长形成卟啉MOFs薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中：在沉积所述金属盐溶液的雾滴或沉积所述金属化卟啉配体溶液的雾滴的步骤之前还需要沉积用于去除未反应的反应物或结合不牢的产物的清洗液。

3.根据权利要求1所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属化卟啉配体选自5,10,15,20‑四(4‑羧基苯基)卟啉的金属化产物或5,10,15,20‑四(4‑吡啶基苯基)卟啉的金属化产物；其中，所述金属包括Zn、Mn、或Fe中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐选自醋酸锌或硝酸锌中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐和金属化卟啉配体的摩尔比为0.1～2：0.01～0.1。

6.根据权利要求1所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述对生长基底进行功能化修饰具体是指：在所述生长基底表面形成官能团，所述官能团包括羟基、羧基或吡啶基中的任一种或多种。

7.根据权利要求6所述的一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法，其特征在于，所述生长基底包括硅片、塑料、石英玻璃、二氧化硅中的任一种。

8.一种可调控卟啉MOFs薄膜，其特征在于，采用权利要求1‑7任一项所述的制备方法制备得到。

9.一种权利要求8所述的可调控卟啉MOFs薄膜在制备光探测器中作为光电转换层的应用。

10.根据权利要求9的应用，其特征在于：所述光探测器还包括电极材料，所述电极材料与所述卟啉MOFs薄膜欧姆接触，所述电极材料由Ni、Au、Pt、Cu、Al、Ag、Cr和In中的一种或多种金属复合而成。