1.微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将硅源、碳源均匀混合，碳硅摩尔比为（1 3）：1，硅源包括硅粉、正硅酸乙酯、石英~砂、白炭黑、硅溶胶中的一种或多种，碳源包括工业煤、石墨、活性炭、石油焦中的一种或多种；

（2）将混合后的粉体直接置于微波烧结炉中进行微波烧成，或者，将混合后的粉体先进行预成型，之后再置于微波烧结炉中进行微波烧成；

微波烧成的过程包括：微波烧结炉的输入功率为5 6kW，加热频率为2450MHz，温度迅速~上升到800 900℃后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，得到具有六方结构的α‑SiC；或~者，微波烧结炉的输入功率为7kW，加热频率为915MHz，温度迅速上升到1000℃后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，得到具有六方结构的α‑SiC。

2.如权利要求1所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于步骤（1）的混料方式包括球磨法混合或研磨法混合或机械搅拌混合。

3.如权利要求1所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于步骤（2）中的成型方式包括干压成型、等静压成型或溶胶凝胶成型。

4.如权利要求1所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于所制备的α‑SiC在制备半导体材料、功能陶瓷或高级耐火材料中的应用。