1.一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：S1,将二水合钨酸钠溶于去离子水中，向水溶液加入HCl连续搅拌t1，用去离子水离心彻底清洗凝胶后，将沉淀转移到HCl溶液中，室温搅拌t2，将溶液转移到高压釜中，在烘箱中保存t3，冷却至室温后，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，干燥，将制备的前驱体进行退火处理，得到最终产物标记为WO3‑001；

S2,WO3‑001和NaBH4以一定比例混合并彻底研磨，混合粉末在惰性气体气氛下煅烧t4，然后用蒸馏水和无水乙醇洗涤，去除残留的NaBH4，最后，在室温下干燥产物。

2.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：t1为80min，t2为32h，t3为5h，t4为10min。

3.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中的二水合钨酸钠重量为1g,去离子水设置为20ml。

4.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中的向水溶液加入的HCl 10ml。

5.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中将沉淀转移到HCl溶液中，HCl设置为50ml。

6.根据权利要求5所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中的HCl浓度均为2mol/L。

7.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中，烘箱温度设置为200℃，干燥温度设置为80℃，S2中惰性气体采用N2，煅烧的温度为300℃。

8.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中退火温度为500℃，退火时间为2h。

9.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S1中制得的最终产物为择优暴露(001)面的WO3纳米片。

10.根据权利要求1所述的一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，其特征在于：所述步骤S2中WO3和NaBH4的混合质量比为(5:1)～(60:1)。