1.一种具有超高Q值的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷由化学式为xCaO‑ySnO2‑zAl2O3的化合物制得，其中0

2.根据权利要求1所述的具有超高Q值的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的介电常数εr为8.31～8.94，品质因数Q×f为60900～105700GHz，谐振频率温度系数τf为‑57.1～‑64.2ppm/℃。

3.一种权利要求1‑2中任一权利要求所述的低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、称取CaCO3、SnO2及Al2O3的原料粉末并按照化学式为xCaO‑ySnO2‑zAl2O3的化学计量比进行配料，混合均匀后进行第一次湿法球磨处理，再经烘干和预烧，制得预烧陶瓷粉体；

S2、对步骤S1中制得的所述预烧陶瓷粉体进行第二次湿法球磨处理，烘干后加入粘合剂造粒，再经压片和烧结，制得所述低介微波介质陶瓷。

4.根据权利要求3所述的低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述第一次湿法球磨处理和所述第二次湿法球磨处理的分散剂为200wt％的去离子水，球磨介质为锆球，球磨速度为360r/min，球磨时间为5～10h。

5.根据权利要求3所述低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述预烧的温度为1000～1150℃，预烧时间为5～10h。

6.根据权利要求3所述的低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述烧结温度为1300～1500℃，烧结时间为5～10h。

7.一种LTCC微波介质陶瓷，其特征在于，所述LTCC微波介质陶瓷包括主晶相和烧结助剂，所述主晶相的化学表达式为Ca2Sn2Al2O9，所述LTCC微波介质陶瓷的制备方法包括如下步骤：(1)按照化学式为xCaO‑ySnO2‑zAl2O3的化学计量比称取CaCO3、SnO2及Al2O3，称量后进行第一次湿法球磨处理，球磨后烘干，然后再进行预烧，制得预烧陶瓷粉体；

(2)将步骤S1中制得的所述预烧陶瓷粉体与烧结助剂均匀后，进行第二次湿法球磨处理，烘干后加入粘合剂造粒，压片后在低于961℃的温度下进行烧结，获得所述LTCC微波介质陶瓷。

8.根据权利要求7所述的LTCC微波介质陶瓷，其特征在于，在步骤(2)中，所述LTCC微波介质陶瓷的介电常数εr为8.61～9.25，品质因数Q×f为16792～33148GHz，谐振频率温度系数τf为‑67.3～‑77.4ppm/℃。

9.根据权利要求7所述的LTCC微波介质陶瓷，其特征在于，在步骤(2)中，所述烧结助剂为ZnO‑B2O3‑LiF‑MgF2‑SrF2，所述烧结助剂的添加量为10～20wt％，所述粘合剂为PVA或石蜡，所述粘合剂的质量分数为5～10％；所述第二次湿法球磨处理的分散剂为200wt％的去离子水，球磨介质为锆球，球磨速度为360r/min，球磨时间为5～10h。

10.根据权利要求7所述的LTCC微波介质陶瓷，其特征在于，在步骤(2)中，所述烧结的温度为900～950℃，烧结时间为2～5h；所述预烧的温度为1000～1150℃，预烧时间为5～

10h。